[發(fā)明專利]一種COA陣列基板的制備方法、陣列基板及顯示裝置在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310108090.1 | 申請日: | 2013-03-29 |
| 公開(公告)號: | CN103258793A | 公開(公告)日: | 2013-08-21 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 齊永蓮;舒適;惠官寶 | 申請(專利權(quán))人: | 京東方科技集團(tuán)股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/77 | 分類號: | H01L21/77;H01L27/12;H01L27/32;G02F1/136 |
| 代理公司: | 北京天昊聯(lián)合知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11112 | 代理人: | 羅建民;陳源 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 coa 陣列 制備 方法 顯示裝置 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明屬于液晶顯示技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種COA陣列基板的制備方法、陣列基板及顯示裝置。?
背景技術(shù)
COA陣列基板是指將彩色濾光層13制作在TFT基底11(TFT基底包括基底111、薄膜晶體管(TFT)112)上,通過該設(shè)計(jì),可以減小黑矩陣的寬度,提高顯示區(qū)域的開口率,現(xiàn)有的COA陣列基板的結(jié)構(gòu)如圖1所示,圖2為形成過孔15的曝光過程的示意圖。?
目前將彩色濾光層制作在TFT基底上的方法主要通過構(gòu)圖工藝或噴墨打印法,目前采用的噴墨打印法均需要單獨(dú)制作擋墻結(jié)構(gòu),在制作完彩色濾光層13(彩色濾光層制作需要在TFT基底上涂覆保護(hù)層12后,再通過構(gòu)圖工藝形成。)后再將擋墻去除,之后制作平坦化層14,形成COA陣列基板結(jié)構(gòu),同時(shí)還需要單獨(dú)的構(gòu)圖工藝形成過孔15,因此該工藝過程復(fù)雜,生產(chǎn)效率低,成本較高。?
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題包括,針對現(xiàn)有的陣列基板的制備方法復(fù)雜、生產(chǎn)效率低、成本較高的問題,提供一種可以減少制造工藝、降低成本,提高生產(chǎn)效率的陣列基板的制備方法、陣列基板及顯示裝置。?
解決本發(fā)明技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是一種COA陣列基板的制備方法,包括TFT基底和設(shè)置在TFT基底上的彩色濾光層,包括如下步驟:在TFT基底上的保護(hù)層上涂光刻膠層,所述光刻?膠層同時(shí)作為平坦化層;通過光刻工藝在光刻膠層中形成彩膜容納孔;在彩膜容納孔中制作彩色濾光層。?
本發(fā)明中光刻膠層的流動(dòng)性好,故段差很小,所以光刻膠層可以同時(shí)作為平坦化層,通過構(gòu)圖工藝,將光刻膠層曝光、顯影,形成包括彩膜容納孔的圖形,與現(xiàn)有的陣列基板的制備方法相比較不用單獨(dú)制作平坦化層,故其工藝步驟簡單,同時(shí)節(jié)約成本。?
優(yōu)選的是,所述在彩膜容納孔中制作彩色濾光層的方法為噴墨打印法。?
優(yōu)選的是,還包括:在所述COA陣列基板上形成過孔。?
進(jìn)一步優(yōu)選的是,所述COA陣列基板為OLED陣列基板,所述在所述COA陣列基板上形成過孔包括:采用一次構(gòu)圖工藝形成彩膜容納孔和第一通孔,所述第一通孔貫穿平坦層;對第一通孔區(qū)域的保護(hù)層進(jìn)行刻蝕,形成露出薄膜晶體管的漏極的過孔;在彩色濾光層上制作OLED陽極,所述OLED陽極通過所述過孔與薄膜晶體管的漏極連接。?
進(jìn)一步優(yōu)選的是,所述陣列基板為TFT-LCD陣列基板,所述在所述COA陣列基板上形成過孔包括:采用一次構(gòu)圖工藝形成彩膜容納孔和第一通孔,所述第一通孔貫穿平坦層;對第一通孔區(qū)域的保護(hù)層進(jìn)行刻蝕,形成露出薄膜晶體管的漏極的過孔;在彩色濾光層上制作像素電極,所述像素電極通過所述過孔與薄膜晶體管的漏極連接。?
解決本發(fā)明技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是一種COA陣列基板,包括位于保護(hù)層12上的光刻膠層21,所述光刻膠層21同時(shí)作為平坦化層,且其中形成有彩膜容納孔32,彩膜容納孔32中形成有彩色濾光層13。?
由于本發(fā)明的陣列基板的光刻膠層不僅在其中形成彩膜容納孔,同時(shí)又作為平坦化層,所以該陣列基板的成本低。?
優(yōu)選的是,所述COA陣列基板為OLED基板,所述COA陣列基板上還設(shè)置有過孔,OLED陽極通過所述過孔與OLED基板上的薄膜晶體管的漏極連接。?
優(yōu)選的是,所述陣列基板為TFT-LCD陣列基板,所述COA陣列基板上還設(shè)置有過孔,像素電極通過所述過孔與TFT-LCD陣列基板上的薄膜晶體管的漏極連接。?
解決本發(fā)明技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是一種顯示裝置,包括上述陣列基板。?
由于該顯示裝置包括上述陣列基板,所以成本低,制作工藝步驟簡化。?
附圖說明
圖1為現(xiàn)有的COA陣列基板的示意圖;?
圖2為本發(fā)明實(shí)施例1的陣列基板制備方法中對COA陣列基板的光刻膠層曝光的示意圖;?
圖3為本發(fā)明實(shí)施例1的COA陣列基板制備方法中對COA陣列基板的光刻膠層曝光后的示意圖;?
圖4為本發(fā)明實(shí)施例1的COA陣列基板制備方法中制作COA陣列基板彩色濾光層的示意圖;以及,?
圖5為本發(fā)明實(shí)施例1的COA陣列基板制備方法中制作COA陣列基板上過孔的示意圖。?
其中附圖標(biāo)記為:11、TFT基底;111、基底;112、薄膜晶體管;12、保護(hù)層;13、彩色濾光層;14、平坦化層;15、過孔;21、光刻膠層;22、掩膜板;31、第一通孔;32、彩膜容納孔。?
具體實(shí)施方式
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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