[發明專利]R-T-B系稀土磁體粉末、R-T-B系稀土磁體粉末的制造方法和粘結磁體有效
| 申請號： | 201310108069.1 | 申請日： | 2013-03-29 |
| 公開（公告）號： | CN103357882A | 公開（公告）日： | 2013-10-23 |
| 發明（設計）人： | 片山信宏;川崎浩史;森本耕一郎 | 申請（專利權）人： | 戶田工業株式會社 |
| 主分類號： | B22F9/04 | 分類號： | B22F9/04;C22C33/02;C22C38/00;H01F1/053;H01F1/08 |
| 代理公司： | 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322 | 代理人： | 龍淳 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 稀土 磁體 粉末 制造 方法 粘結 | ||
1.一種R-T-B系稀土磁體粉末的制造方法，其利用HDDR處理得到R-T-B系稀土磁體粉末，該制造方法的特征在于：
原料合金包含R、T、B，其中，R是包括Y的一種以上的稀土元素，T是Fe、或Fe和Co，B是硼，該原料合金的組成是R量為12.5at.％以上、14.3at.％以下，B量為4.5at.％以上、7.5at.％以下，Co量為10at.％以下，在不活潑氣氛或真空氣氛中將該原料合金粉末升溫到770℃以上、820℃以下的溫度范圍后，將氣氛切換到含氫的氣體氣氛，實施以所述溫度范圍保持30分鐘以上、150分鐘以下的第一階段HD工序，接著，再升溫到830℃以上、870℃以下的溫度范圍，實施以含氫的氣體氣氛保持60分鐘以上、240分鐘以下的第二階段HD工序。
2.如權利要求1所述的R-T-B系稀土磁體粉末的制造方法，其特征在于：原料合金包含Ga和Zr，該原料合金的組成是Ga量為0.1at.％以上、1.0at.％以下，Zr量為0.05at.％以上、0.15at.％以下。
3.一種R-T-B系稀土磁體粉末，其特征在于：
其包含R、T、B，其中，R是包括Y的一種以上的稀土元素，T是Fe、或Fe和Co，B是硼，組成是R量為12.5at.％以上、14.3at.％以下，B量為4.5at.％以上、7.5at.％以下，Co量為10.0at.％以下，該R-T-B系稀土磁體粉末中，退磁曲線的矩形性（Hk/HcJ）為0.5以上，由孔徑106μm的篩得到的篩上的粉末的剩余磁通密度（Br106）和由孔徑38μm的篩得到的篩下的粉末的剩余磁通密度（Br38）之差ΔBr為0.02T以下。
4.一種使用權利要求3所述的R-T-B系稀土磁體粉末的粘結磁體。
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