[發明專利]一種半導體集成電路或分立器件倒扣封裝的植球方法

在審

• 申請號: 201310108005.1
• 申請日: 2013-03-29
• 公開（公告）號: CN104078371A
• 公開（公告）日: 2014-10-01
• 發明（設計）人: 徐謙剛;王永功;劉惠林;韓國棟;楊虹;薛建國
• 申請（專利權）人: 天水天光半導體有限責任公司
• 主分類號: H01L21/60
• 分類號: H01L21/60
• 代理公司: 甘肅省知識產權事務中心 62100
• 代理人: 鮮林

1.一種半導體集成電路或分立器件倒扣封裝的植球方法，按照下述工藝步驟制作：

a.凸點底部金屬化

在壓點光刻完成的芯片上按照先后順序依次濺射或蒸發復合金屬層，然后采用光刻方法將芯片上壓點以外區域的復合金屬層刻蝕，保留壓點上的復合金屬層；

b.在芯片上涂一層厚度為48-56微米的錫助焊劑；

c.將直徑為290—300微米的錫球放置到上述涂有錫助焊劑的芯片復合金屬層上，將芯片加熱至220-240℃，錫球通過助焊劑與芯片上的復合金屬層焊接，芯片內部的金屬導線通過壓點上的復合金屬層與錫球相粘接，在芯片上制成凸點焊球。

2.根據權利要求1所述的一種半導體集成電路或分立器件倒扣封裝的植球方法，其特征在于所述在壓點光刻完成的芯片上濺射或蒸發的復合金屬層按照先后順序依次為鈦、鎳、銀三層金屬。

3.根據權利要求1或2所述的一種半導體集成電路或分立器件倒扣封裝的植球方法，其特征在于所述鈦、鎳、銀三層金屬的厚度分別為鈦1800~?2200????????????????????????????????????????????????、鎳3600~4400?、銀5500~4500，各層厚度的最大容差為10%。

4.根據權利要求3所述的一種半導體集成電路或分立器件倒扣封裝的植球方法，其特征在于所述鈦、鎳、銀三種金屬的純度最低為99.999%。