[發明專利]具有散熱結構及電磁干擾屏蔽的半導體封裝件及其制造方法

有效

• 申請號: 201310106747.0
• 申請日: 2013-03-28
• 公開（公告）號: CN103219298A
• 公開（公告）日: 2013-07-24
• 發明（設計）人: 林弈嘉;曾玉州;楊金鳳;鍾啟生;廖國憲
• 申請（專利權）人: 日月光半導體制造股份有限公司
• 主分類號: H01L23/34
• 分類號: H01L23/34;H01L23/552
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 陸勍

1.一種半導體封裝件，包括：

一基板，具有一接地元件；

一半導體芯片，設于該基板上，且具有數個焊墊；

一封裝體，包覆該半導體芯片；

一凹部，形成于該封裝體中并露出該半導體芯片的一上表面的至少一部分；

一電性連接件，設于至少二該焊墊之間的該凹部內，其中該電性連接件超過該半導體芯片的一側邊；以及

一導電層，設于該封裝體的一外表面上，其中該導電層直接接觸該電性連接件與該接地元件；

其中，該電性連接件與該導電層的一組合提供半導體封裝件散熱及電磁干擾的屏蔽。

2.如權利要求1所述的半導體封裝件，其中該電性連接件直接接觸該半導體芯片的該上表面。

3.如權利要求2所述的半導體封裝件，其中一散熱路徑直接從該半導體芯片延伸至該電性連接件，且直接從該電性連接件至該導電層。

4.如權利要求1所述的半導體封裝件，其中該凹部增加該封裝件對應于一最差電磁干擾屏蔽效果的一共振頻率，使該共振頻率超過該半導體芯片的一操作頻率。

5.如權利要求1所述的半導體封裝件，其中該導電層直接接觸該半導體芯片的該上表面。

6.如權利要求1所述的半導體封裝件，其中該凹部包括數個子凹部，所述子凹部與該半導體芯片的該上表面隔離。

7.如權利要求1所述的半導體封裝件，其中該接地元件未延伸經過該基板。

8.如權利要求2所述的半導體封裝件，其中該接地元件包括具有一側壁的一部分導通孔，該側壁從該基板露出。

9.一種半導體封裝件，包括：

一基板，具有一接地元件；

一半導體芯片，設于該基板上，且具有數個焊墊；

一封裝體，包覆該半導體芯片；

一凹部，形成于該封裝體中且露出該半導體芯片的一上表面的至少一部分的；以及

一元件，耦接至該半導體芯片的該上表面及該封裝體，且提供該半導體封裝件散熱及電磁干擾屏蔽的功能。

10.如權利要求9所述的半導體封裝件，其中該元件包括一凹部、一電性連接件及一全覆蓋屏蔽件，該凹部形成于該封裝體且位于該半導體芯片上方，該電性連接件設于該凹部內，該全覆蓋屏蔽件位于該電性連接件上方。

11.如權利要求10所述的半導體封裝件，其中一散熱路徑直接從該半導體芯片延伸至該電性連接件，且直接從該電性連接件至該導電層。

12.如權利要求10所述的半導體封裝件，其中該凹部增加該封裝件對應于一最差電磁干擾屏蔽效果的一共振頻率，使該共振頻率超過該半導體芯片的一操作頻率。

13.如權利要求9所述的半導體封裝件，其中該元件包括一全覆蓋屏蔽件及一填充物，該全覆蓋屏蔽件覆蓋該封裝體的一外表面及從該凹部露出的該半導體芯片的該上表面，該填充物與該全覆蓋屏蔽件位于該凹部內，該全覆蓋屏蔽件設于該填充部與該半導體芯片的該上表面之間。

14.如權利要求13所述的半導體封裝件，其中一熱路徑從該半導體芯片直接延伸至該電性連接件，且從該電性連接件直接延伸至該導電層。

15.如權利要求13所述的半導體封裝件，其中該凹部增加該封裝件對應于一最差電磁干擾屏蔽效果的一共振頻率，使該共振頻率超過該半導體芯片的一操作頻率。

16.如權利要求9所述的半導體封裝件，其中該元件包括一電性連接件及一全覆蓋屏蔽件，該電性連接件覆蓋該半導體芯片的該上表面及該封裝體的一上表面，該全覆蓋屏蔽件覆蓋該電性連接件及該封裝體。

17.如權利要求9所述的半導體封裝件，其中該接地元件包括具有一側壁的一部分導通孔，該側壁從該基板露出。

18.一種半導體封裝件的制造方法，包括：

設置一半導體芯片于一基板，其中該半導體芯片具有一側面及一上表面，且該基板包括一接地元件；

形成一封裝體包覆該半導體芯片的該側面，其中該封裝體定義一露出該半導體芯片的該上表面的凹部；

切割該封裝體、該基板及該接地元件，以露出該接地元件的一側壁；以及

形成一導電層覆蓋該封裝體的一外表面及從該凹部露出的該半導體芯片的該上表面，且接觸露出的該接地元件。