[發明專利]互連結構的制造方法

在審

• 申請號: 201310105947.4
• 申請日: 2013-03-28
• 公開（公告）號: CN104078415A
• 公開（公告）日: 2014-10-01
• 發明（設計）人: 周鳴
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 駱蘇華

1.一種互連結構的制造方法，其特征在于，包括：

提供基底，在所述基底上形成具有第一開口的層間介質層，在所述第一開口內填充導電層形成第一互連結構，對所述導電層進行化學機械拋光至所述層間介質層，所述層間介質層表面具有化學機械拋光殘留物；

對所述層間介質層進行紫外線處理，去除所述層間介質層表面的所述殘留物；

對所述層間介質層進行紫外線處理后，在所述層間介質層上形成多孔介質層；

在所述多孔介質層上形成圖形化硬掩膜層，以所述圖形化的硬掩膜層為掩膜刻蝕所述多孔介質層，在多孔介質層內形成第二開口，所述第二開口與第一開口相通，在所述第二開口內填充導電層形成第二互連結構。

2.如權利要求1所述的互連結構的制造方法，其特征在于，對所述層間介質層進行紫外線處理的方法包括：

用紫外線照射所述層間介質層，所述紫外線的波長為200nm～400nm，紫外照射裝置的功率為50W～100W，紫外線對所述層間介質層的照射時間為63s～77s。

3.如權利要求1所述的互連結構的制造方法，其特征在于，對所述層間介質層進行紫外線處理的步驟之后，在所述層間介質層上形成多孔介質層的步驟之前還包括步驟：

對所述層間介質層進行臭氧處理。

4.如權利要求3所述的互連結構的制造方法，其特征在于，對所述層間介質層進行臭氧處理在腔室中進行，具體參數包括：腔室氣壓為0.5torr～7torr,臭氧氣體的流量為50sccm～1500sccm,處理的時間為25s～100s，腔室功率為100W～1000W。

5.如權利要求1所述的互連結構的制造方法，其特征在于，所述在所述層間介質層上形成多孔介質層的方法包括：

在所述層間介質層上形成介質層；

對所述介質層進行紫外線處理，形成多孔介質層。

6.如權利要求5所述的互連結構的制造方法，其特征在于，所述對所述介質層進行紫外線處理的方法包括：

采用紫外線照射所述介質層，紫外線的波長范圍為200nm～400nm，紫外照射裝置的功率為50W～100W，紫外線對所述介質層的照射時間為63s～77s。

7.如權利要求1所述的互連結構的制造方法，其特征在于，所述第一開口包括通孔或溝槽中的至少一種。

8.如權利要求1所述的互連結構的制造方法，其特征在于，所述導電層為銅或鎢。

9.如權利要求3所述的互連結構的制造方法，其特征在于，對所述層間介質層進行臭氧處理后，在所述層間介質層上形成多孔介質層之前還包括步驟：在所述層間介質層表面形成阻擋層，所述阻擋層用于防止所述層間介質層中的導電層擴散。

10.如權利要求9所述的互連結構的制造方法，其特征在于，所述阻擋層為摻氮的碳化硅。

11.如權利要求1所述的互連結構的制造方法，其特征在于，所述層間介質層為單層或疊層結構，當所述層間介質層為單層結構時，所述層間介質層的材料為SiO₂、SiOF、SiCOH、SiO、SiCO、SiCON中的一種；當所述層間介質層為疊層結構時，所述層間介質層為SiO₂、SiOF、SiCOH、SiO、SiCO、SiCON層任意組合的疊層結構。

12.如權利要求1所述的互連結構的制造方法，其特征在于，所述多孔介質層為單層或疊層結構，當所述多孔介質層為單層結構時，所述多孔介質層的材料為SiO₂、SiOF、SiCOH、SiO、SiCO、SiCON中的一種；當所述多孔介質層為疊層結構時，所述多孔介質層的材料為SiO₂、SiOF、SiCOH、SiO、SiCO、SiCON層任意組合的疊層結構。

13.如權利要求1所述的互連結構的制造方法，其特征在于，所述硬掩膜層為單層結構或疊層結構，當硬掩膜層為單層結構時，所述硬掩膜層的材料為SiCOH；當硬掩膜層為雙層結構時，所述硬掩膜層底層材料為SiCOH，頂層材料為正硅酸乙酯。