[發明專利]執行磁頭在片測試的方法和系統

在審

• 申請號: 201310103955.5
• 申請日: 2013-03-28
• 公開（公告）號: CN103366762A
• 公開（公告）日: 2013-10-23
• 發明（設計）人: C·尚;D·毛里;K·S·霍
• 申請（專利權）人: 西部數據（弗里蒙特）公司
• 主分類號: G11B5/455
• 分類號: G11B5/455
• 代理公司: 北京紀凱知識產權代理有限公司 11245
• 代理人: 趙蓉民

1.一種用于測試包括制造在晶片上的讀傳感器的讀換能器的系統，所述系統包括：

測試結構，所述測試結構位于所述晶片上，所述測試結構包括測試器件和加熱器，所述測試器件對應所述讀傳感器，所述加熱器靠近所述測試器件，所述加熱器經配置加熱所述測試器件而大體上不加熱所述讀傳感器，所述測試結構允許在高于環境溫度的多個溫度下對測試器件進行在片測試。

2.根據權利要求1所述系統，其中所述加熱器位于所述測試器件和所述晶片之間。

3.根據權利要求1所述系統，其中所述測試器件位于所述加熱器和所述晶片之間。

4.根據權利要求1所述系統，其中所述多個溫度進一步包括不低于所述測試器件阻擋溫度的溫度。

5.根據權利要求4所述系統，其中所述測試結構經配置，使得當所述測試器件在所述阻擋溫度時，所述讀傳感器在低于所述阻擋溫度的讀傳感器溫度下。

6.根據權利要求5所述系統，其中當所述測試器件在所述阻擋溫度時，所述讀傳感器溫度大體上是室溫。

7.根據權利要求1所述系統，進一步包括：

邏輯電路，用于控制驅動通過所述加熱器的功率。

8.根據權利要求7所述系統，其中所述邏輯電路進一步為至少一個測試結構控制磁場。

9.根據權利要求8所述系統，其中所述邏輯電路經配置，使得在功率被驅動通過所述加熱器之前，所述磁場達到期望測試磁場。

10.根據權利要求1所述系統，其中所述測試結構距離每個所述讀換能器至少一百微米。

11.一種用于測試包括制造在晶片上的讀傳感器的讀換能器的方法，所述方法包括：

加熱測試結構的測試器件至一個溫度，而所述讀傳感器的讀傳感器溫度大體上不升高至所述溫度，所述測試結構制造在所述晶片上，所述測試器件對應所述讀傳感器；和

在所述溫度下對所述測試器件進行至少一個測試。

12.根據權利要求11所述方法，其中當所述測試器件在所述溫度時，所述讀傳感器溫度大體上是室溫。

13.根據權利要求11所述方法，其中所述測試器件被加熱至的溫度不低于所述測試器件的阻擋溫度。

14.根據權利要求13所述方法，其中當所述測試器件的溫度至少是所述阻擋溫度時，所述讀傳感器溫度大體上是室溫。

15.根據權利要求11所述方法，其中進行至少一個測試的步驟進一步包括：

對所述測試器件施加磁場，所述磁場在加熱所述測試讀傳感器的步驟開始之前達到穩態。

16.根據權利要求11所述方法，進一步包括：

重復加熱所述測試器件的步驟和在多個溫度下重復進行所述至少一個測試。

17.根據權利要求11所述方法，其中加熱所述測試器件的步驟包括：

驅動加熱器，所述加熱器靠近所述測試器件和遠離所述讀傳感器。

18.一種用于測試包括制造在晶片上的讀傳感器的讀換能器的方法，所述方法包括：

對測試結構的測試器件施加穩定狀態的磁場，所述測試結構制造在所述晶片上和包括對應所述讀傳感器的所述測試器件；

加熱所述測試器件至一個溫度，而所述讀傳感器的讀傳感器溫度不升高至所述溫度；

冷卻所述測試器件至室溫；

確定所述測試器件的傳遞曲線；和

在多個溫度下多次重復施加所述磁場、加熱所述測試器件、冷卻所述測試器件、確定所述傳遞曲線的步驟，所述多個溫度包括至少是所述測試器件阻擋溫度的高溫，從而可以確定所述測試器件的阻擋溫度而不對所述讀傳感器的性能產生不利影響。

19.根據權利要求18所述方法，其中確定所述阻擋溫度的幾何依賴性。