[發明專利]從有機氨基硅烷前體制備氧化硅薄膜的方法

在審

• 申請號: 201310103494.1
• 申請日: 2007-05-23
• 公開（公告）號: CN103225070A
• 公開（公告）日: 2013-07-31
• 發明（設計）人: H·思里丹達姆;蕭滿超;雷新建;T·R·加夫尼
• 申請（專利權）人: 氣體產品與化學公司
• 主分類號: C23C16/40
• 分類號: C23C16/40;C23C16/448
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 吳亦華

1.用于通過氣相沉積法沉積氧化硅薄膜的組合物，所述組合包括：

由下式A表示的有機氨基硅烷前體

其中R選自帶有或不帶有取代基的C₁-C₁₀直鏈、支鏈、或環狀、飽和或不飽和的烷基；帶有或不帶有取代基的C₅-C₁₀芳香基，帶有或不帶有取代基的C₃-C₁₀雜環基，和R¹選自帶有或不帶有取代基的C₃-C₁₀直鏈、支鏈、環狀、飽和或不飽和的烷基；帶有或不帶有取代基的C₅-C₁₀芳香基，帶有或不帶有取代基的C₃-C₁₀雜環基，氫原子，帶有取代基的甲硅烷基，并且式A中R和R¹還可以結合形成環狀基團；和

氧源氣體。

2.權利要求1的組合物，其中所述氣相沉積法選自如下的至少一種：化學氣相沉積法、低壓化學氣相沉積法、等離子體增強的化學氣相沉積法、原子層沉積法、及其組合。

3.權利要求2的組合物，其中所述氣相沉積法是原子層沉積法。

4.權利要求1的組合物，其中式A中R和R¹各自獨立地選自異丙基、叔丁基、仲丁基、叔戊基、和仲戊基。

5.權利要求4的組合物，其中式A中R和R¹都是異丙基。

6.權利要求4的組合物，其中式A中R和R¹都是仲丁基。

7.權利要求4的組合物，其中式A中R為異丙基和式A中R¹為仲丁基。

8.權利要求7的組合物，其中式A中R和R¹結合形成環狀基團。

9.用于在氣相沉積法中沉積氧化硅薄膜的組合物，所述組合包括：

由下式表示的有機氨基硅烷前體

和

氧源。

10.權利要求9的組合物，其中所述氧源為選自如下的至少一種：過氧化氫、氧氣、一氧化氮、臭氧、及其組合。

11.權利要求9的組合物，其中氧化劑與有機氨基硅烷前體的比例為0.1-6摩爾。

12.權利要求9的組合物，其中所述氣相沉積法在350-700℃的溫度下操作。

13.權利要求9的組合物，其中所述氣相沉積法在0.1-500托的壓力下進行。

14.權利要求9的組合物，其中所述氧化硅薄膜以的速率沉積。

15.權利要求9的組合物，其中所述氧化硅薄膜的折射率為1.45-1.70。

16.權利要求9的組合物，其中所述氧化硅薄膜的濕刻蝕率為