[發(fā)明專利]材料及其生產(chǎn)方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310103467.4 | 申請日： | 2013-03-28 |
| 公開（公告）號： | CN103361043A | 公開（公告）日： | 2013-10-23 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | D.J.博戴;J.T.沃茨 | 申請（專利權(quán)）人： | 國際商業(yè)機器公司 |
| 主分類號： | C09K11/02 | 分類號： | C09K11/02;G01N21/64;G01N27/04 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律師事務所 11105 | 代理人： | 宋莉 |
| 地址： | 美國紐*** | 國省代碼： | 美國;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 材料 及其 生產(chǎn) 方法 | ||
1.材料，包含：
介質(zhì)；
分散在所述介質(zhì)中的碳納米管；以及
附著至在第一數(shù)量的所述碳納米管上的官能團的第一熒光部分，所述第一熒光部分以足以使所述材料在輻射的存在下發(fā)熒光的濃度處于所述材料中。
2.權(quán)利要求1的材料，其中所述碳納米管是以足以使所述材料在該材料的電逾滲閾值或在該材料的電逾滲閾值之上導電的濃度分散的。
3.權(quán)利要求2的材料，其中所述介質(zhì)是非傳導性的。
4.權(quán)利要求1的材料，其中所述第一熒光部分是親水的或疏水的。
5.權(quán)利要求1的材料，進一步包含附著至所述碳納米管的一個或多個的分散性官能團。
6.權(quán)利要求1的材料，其中所述第一熒光部分以在可見光譜內(nèi)或低于可見光譜的第一發(fā)射波長發(fā)熒光。
7.權(quán)利要求6的材料，進一步包含：
附著至在第二數(shù)量的所述碳納米管上的官能團的第二熒光部分，其濃度足以使所述材料在輻射的存在下發(fā)熒光，
其中所述第二熒光部分以在可見光譜內(nèi)或低于可見光譜的第二發(fā)射波長發(fā)熒光，且所述第一和第二發(fā)射波長是不同的波長。
8.生產(chǎn)材料的方法，包括：
提供介質(zhì)；
將碳納米管分散在所述介質(zhì)中；以及
將第一熒光部分附著至在第一數(shù)量的所述碳納米管上的官能團，所述第一熒光部分以足以使所述材料在輻射的存在下發(fā)熒光的濃度處于所述材料中。
9.權(quán)利要求8的方法，其中所述碳納米管是以足以使所述材料在該材料的電逾滲閾值或在該材料的電逾滲閾值之上導電的濃度分散的。
10.權(quán)利要求9的方法，其中所述介質(zhì)是非傳導性的。
11.權(quán)利要求8的方法，其中所述第一熒光部分是親水的或疏水的。
12.權(quán)利要求8的方法，進一步包括將分散性官能團附著至所述碳納米管的一個或多個。
13.權(quán)利要求8的方法，其中所述第一熒光部分以在可見光譜內(nèi)或低于可見光譜的第一發(fā)射波長發(fā)熒光。
14.權(quán)利要求13的方法，進一步包括：
將第二熒光部分附著至在第二數(shù)量的所述碳納米管上的官能團，所述第二熒光部分以足以使所述材料在輻射的存在下發(fā)熒光的濃度處于所述材料中，
其中所述第二熒光部分以在可見光譜內(nèi)或低于可見光譜的第二發(fā)射波長發(fā)熒光，且所述第一和第二發(fā)射波長是不同的波長。
15.用于鑒定具有材料的產(chǎn)品的真?zhèn)蔚姆椒ǎǎ?/p>
將所述材料暴露于入射輻射，所述材料包括介質(zhì)和分散在所述介質(zhì)中的碳納米管，其中第一熒光部分以足以使所述材料在輻射的存在下以第一發(fā)射波長發(fā)熒光的濃度附著至在第一數(shù)量的所述碳納米管上的官能團；以及
檢測具有第一發(fā)射波長的發(fā)出的輻射以鑒定所述產(chǎn)品的真?zhèn)巍?/p>
16.權(quán)利要求15的方法，其中所述第一發(fā)射波長在可見光譜內(nèi)或低于可見光譜。
17.權(quán)利要求16的方法，其中所述材料進一步包括附著至在第二數(shù)量的所述碳納米管上的官能團的第二熒光部分，其濃度足以使所述材料在輻射的存在下以第二發(fā)射波長發(fā)熒光，并且其中所述第二熒光部分以在可見光譜內(nèi)或低于可見光譜的第二發(fā)射波長發(fā)熒光，且所述第一和第二發(fā)射波長是不同的波長，所述方法進一步包括：
檢測具有所述第二發(fā)射波長的發(fā)出的輻射以鑒定所述產(chǎn)品的真?zhèn)巍?/p>
18.權(quán)利要求15的方法，進一步包括：
檢測所述材料是否以第一預定的強度發(fā)熒光以鑒定所述產(chǎn)品的真?zhèn)巍?/p>
19.權(quán)利要求15的方法，其中所述碳納米管以足以使所述材料在該材料的電逾滲閾值或在該材料的電逾滲閾值之上導電的濃度分散在所述介質(zhì)中。
20.權(quán)利要求19的方法，進一步包括測試所述材料的電導率以鑒定所述產(chǎn)品的真?zhèn)巍?/p>
21.權(quán)利要求19的方法，其中所述介質(zhì)是非傳導性的。
22.權(quán)利要求21的方法，進一步包括測試所述材料的電導率以鑒定所述產(chǎn)品的真?zhèn)巍?/p>
23.權(quán)利要求15的方法，進一步包括使用電子顯微鏡法觀察所述材料以確定所述碳納米管的結(jié)構(gòu)特性的存在，從而鑒定所述產(chǎn)品的真?zhèn)巍?!-- SIPO
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