[發明專利]薄膜圖形化方法

有效

• 申請號: 201310103325.8
• 申請日: 2013-03-28
• 公開（公告）號: CN103151245A
• 公開（公告）日: 2013-06-12
• 發明（設計）人: 孫秋娟;王浩敏;左青云;康曉旭;謝紅;鄧聯文;謝曉明;江綿恒
• 申請（專利權）人: 中國科學院上海微系統與信息技術研究所
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02
• 代理公司: 上海光華專利事務所 31219
• 代理人: 李儀萍

1.一種薄膜圖形化方法，其特征在于，該方法至少包括以下步驟：

1）提供一非金屬襯底，并在該非金屬襯底上形成光刻膠；

2）進行光學曝光，將預設圖形轉移至該光刻膠上；

3）在步驟2）之后獲得的結構上沉積金屬層；

4）然后去除光刻膠并剝離，獲得所需金屬圖形結構；

5）在上述金屬圖形結構表面沉積薄膜材料，形成所需薄膜；

6）最后去除剩余金屬層得到圖形化薄膜。

2.根據權利要求1所述的薄膜圖形化方法，其特征在于：所述非金屬襯底為任意不被酸溶液液腐蝕的襯底，尤其是指半導體材料。

3.根據權利要求1所述的薄膜圖形化方法，其特征在于：所述非金屬襯底的厚度為10-20μm。

4.根據權利要求1所述的薄膜圖形化方法，其特征在于：所述步驟1）中的光刻膠厚度為1-2μm。

5.根據權利要求1所述的薄膜圖形化方法，其特征在于：所述步驟1）還包括在形成光刻膠之前清洗該非金屬襯底的步驟。

6.根據權利要求1所述的薄膜圖形化方法，其特征在于：所述步驟3）中的金屬為高熔點的易于酸溶液腐蝕的金屬。

7.根據權利要求6所述的薄膜圖形化方法，其特征在于：所述高熔點的易于酸液腐蝕的金屬包括Ni、Cu、Ti。

8.根據權利要求1所述的薄膜圖形化方法，其特征在于：所述步驟4）中剝離在溫度為50-70攝氏度，最好是60°的熱丙酮中進行。

9.根據權利要求1所述的薄膜圖形化方法，其特征在于：所述步驟5）中的薄膜材料為石墨烯或BN，其厚度為25-35nm。

10.根據權利要求1所述的薄膜圖形化方法，其特征在于：所述步驟6）中去除剩余金屬層在濃度為23%～36%的酸液中腐蝕形成。