[發明專利]MOCVD設備的互鎖控制方法及系統有效
| 申請號: | 201310102920.X | 申請日: | 2013-03-27 |
| 公開(公告)號: | CN104073784A | 公開(公告)日: | 2014-10-01 |
| 發明(設計)人: | 高建強 | 申請(專利權)人: | 北京北方微電子基地設備工藝研究中心有限責任公司 |
| 主分類號: | C23C16/52 | 分類號: | C23C16/52;C23C16/18 |
| 代理公司: | 北京清亦華知識產權代理事務所(普通合伙) 11201 | 代理人: | 張大威 |
| 地址: | 100176 北京市大*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | mocvd 設備 互鎖 控制 方法 系統 | ||
1.一種MOCVD設備的互鎖控制方法,其特征在于,所述方法,包括如下步驟:
步驟1:初始化步驟;控制器預設有每個互鎖的邏輯IO地址,建立設備控制系統中所有互鎖的邏輯IO地址和硬件IO模塊的實際地址的對應關系;硬件IO模塊的實際地址所對應的值是邏輯IO地址中所對應的設備參數的值;
步驟2:上位機接收對金屬有機化合物化學氣相淀積MOCVD設備的設備參數修改指令,并判斷所述設備參數修改指令對應的設備參數修改值是否設置互鎖;如果是,則所述上位機將所述設備參數修改值發送至所述控制器,執行步驟3;否則,執行步驟5;
步驟3:所述控制器根據所述設備參數修改值對應的修改條件是否滿足,設置條件檢測結果,并向所述上位機反饋所述條件檢測結果;以及
步驟4:所述上位機監測所述條件檢測結果,當監測到所述設備參數修改值對應的修改條件不滿足時,觸發所述設備參數修改值的互鎖,并拋出與所述設備參數修改值的互鎖對應的報警;
步驟5:上位機修改所述設備參數修改指令對應的控制器中的設備參數的邏輯IO地址,所述控制器根據修改后的邏輯IO地址修改所述硬件實際地址的值。
2.根據權利要求1所述的MOCVD設備的互鎖控制方法,其特征在于,所述步驟3,包括如下步驟:
所述控制器依次檢測所述設備參數修改值對應的條件檢測器中的每個條件是否都滿足,其中,所述條件檢測器包括一個或多個檢測條件;
所述控制器在檢測到每個所述條件均滿足時,設置條件檢測結果為真;
所述控制器在檢測到至少一個所述條件不滿足時,設置條件檢測結果為假。
3.根據權利要求2所述的MOCVD設備的互鎖檢測方法,其特征在于,所述上位機在監測到所述條件檢測結果為真時,判斷所述設備參數修改值的互鎖未觸發,將所述設備參數修改值發送至所述控制器。
4.根據權利要求3所述的MOCVD設備的互鎖檢測方法,其特征在于,所述控制器在接收到所述設備參數修改值之后,還包括如下步驟:
所述控制器修改所述邏輯IO地址為所述設備參數修改值;
所述控制器根據預設的邏輯IO地址和硬件實際地址的對應關系,再次檢測所述修改后的所述邏輯IO地址的值是否滿足所述修改條件;
如果是,則所述控制器修改所述硬件實際地址的值為所述設備參數修改值。
5.根據權利要求1所述的MOCVD設備的互鎖控制方法,其特征在于,所述上位機在拋出與所述設備參數修改值的互鎖對應的報警的同時,還包括如下步驟:阻塞主線程。
6.根據權利要求1-5任一項所述的MOCVD設備的互鎖控制方法,其特征在于,所述控制器為可編程邏輯控制器。
7.一種MOCVD設備的互鎖控制系統,包括上位機和控制器,其特征在于,所述上位機包括判斷模塊和互鎖觸發模塊,所述控制器包括初始化模塊、修改條件比對模塊和執行模塊,其中:
所述初始化模塊,用于預設每個互鎖的邏輯IO地址與硬件IO模塊的實際地址的對應關系;硬件IO模塊的實際地址所對應的值是邏輯IO地址中所對應的設備參數的值;
所述判斷模塊接收對金屬有機化合物化學氣相淀積MOCVD設備的設備參數修改指令,并判斷所述設備參數修改指令對應的設備參數修改值是否設置互鎖;如果是,則將所述設備參數修改值發送至修改條件比對模塊;否則,將所述設備參數修改值發送至所述執行模塊;
所述修改條件比對模塊,根據所述設備參數修改值對應的修改條件是否滿足,設置條件檢測結果,并向所述互鎖觸發模塊反饋條件檢測結果;以及
所述互鎖觸發模塊,監測所述條件檢測結果,當監測到所述設備參數修改值對應的修改條件不滿足時,觸發所述設備參數修改值的互鎖,并拋出與所述設備參數修改值的互鎖對應的報警;
所述執行模塊,用于修改所述設備參數修改指令對應的控制器中的設備參數的邏輯IO地址,并根據修改后的邏輯IO地址修改所述硬件實際地址的值。
8.根據權利要求7所述的MOCVD設備的互鎖控制系統,其特征在于,所述修改條件比對模塊,依次檢測所述設備參數修改值對應的條件檢測器中的每個條件是否都滿足,并在檢測到每個所述條件均滿足時,設置條件檢測結果為真,以及在檢測到至少一個所述條件不滿足時,設置條件檢測結果為假。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學轉化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆,例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的





