[發(fā)明專利]半導(dǎo)體基板、半導(dǎo)體裝置及半導(dǎo)體裝置的制造方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310102666.3 | 申請日: | 2013-03-27 |
| 公開(公告)號: | CN103367601A | 公開(公告)日: | 2013-10-23 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 木村龍一 | 申請(專利權(quán))人: | 日東電工株式會(huì)社 |
| 主分類號: | H01L33/48 | 分類號: | H01L33/48;H01L33/62;H01L25/075 |
| 代理公司: | 北京林達(dá)劉知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 劉新宇;張會(huì)華 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 半導(dǎo)體 裝置 制造 方法 | ||
1.一種半導(dǎo)體基板,其特征在于,
該半導(dǎo)體基板包括:
電路基板,從外部向該電路基板供電;
多個(gè)半導(dǎo)體元件,其被支承于上述電路基板之上;以及
多條電線,其以分別與上述多個(gè)半導(dǎo)體元件相對應(yīng)的方式設(shè)置,一端與上述半導(dǎo)體元件電連接,另一端與上述電路基板電連接,
上述多條電線以沿著在上述電路基板上具有中心點(diǎn)的假想圓的徑向的方式延伸。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體基板,其特征在于,
上述多個(gè)半導(dǎo)體元件以沿著上述假想圓的徑向的方式配置有多列。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體基板,其特征在于,
上述多個(gè)半導(dǎo)體元件是發(fā)光二極管。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體基板,其特征在于,
上述多條電線的線徑是10μm~100μm。
5.一種半導(dǎo)體裝置,其特征在于,
該半導(dǎo)體裝置包括:
半導(dǎo)體基板;以及
密封層,
上述半導(dǎo)體基板包括:
電路基板,從外部向該電路基板供電;
多個(gè)半導(dǎo)體元件,其被支承于上述電路基板之上;以及
多條電線,其以分別與上述多個(gè)半導(dǎo)體元件相對應(yīng)的方式設(shè)置,一端與上述半導(dǎo)體元件電連接,另一端與上述電路基板電連接,
上述多條電線以沿著在上述電路基板上具有中心點(diǎn)的假想圓的徑向的方式延伸,
上述密封層將上述多個(gè)半導(dǎo)體元件一并密封。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體裝置,其特征在于,
上述密封層是通過使由密封樹脂成形為片狀而成的密封片固化而獲得的。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體裝置,其特征在于,
上述密封樹脂是硅樹脂。
8.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法,其特征在于,
該半導(dǎo)體裝置的制造方法包括以下工序:
準(zhǔn)備工序,準(zhǔn)備半導(dǎo)體基板,該半導(dǎo)體基板包括:電路基板,從外部向該電路基板供電;多個(gè)半導(dǎo)體元件,其被支承于上述電路基板之上;以及多條電線,其以分別與上述多個(gè)半導(dǎo)體元件相對應(yīng)的方式設(shè)置,一端與上述半導(dǎo)體元件電連接,另一端與上述電路基板電連接,上述多條電線以沿著在上述電路基板上具有中心點(diǎn)的假想圓的徑向的方式延伸;
配置工序,將由密封樹脂成形為片狀而成的密封片配置于上述半導(dǎo)體基板的上側(cè);以及
加壓工序,以使上述密封片向上述多條電線延伸的方向變形的方式朝向上述半導(dǎo)體基板對上述密封片加壓。
9.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法,其特征在于,
該半導(dǎo)體裝置的制造方法包括以下工序:
準(zhǔn)備工序,準(zhǔn)備半導(dǎo)體基板,該半導(dǎo)體基板包括:電路基板,從外部向該電路基板供電;半導(dǎo)體元件,其被支承于上述電路基板之上;以及電線,其一端與上述半導(dǎo)體元件電連接,另一端與上述電路基板電連接;
配置工序,將由密封樹脂成形為片狀而成的密封片配置于上述半導(dǎo)體基板的上側(cè);以及
加壓工序,其以使上述密封片向上述電線延伸的方向變形的方式朝向上述半導(dǎo)體基板對上述密封片加壓。
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