[發明專利]一種有機電致發光器件及其制備方法無效
| 申請號: | 201310101415.3 | 申請日: | 2013-03-27 |
| 公開(公告)號: | CN104078590A | 公開(公告)日: | 2014-10-01 |
| 發明(設計)人: | 周明杰;鐘鐵濤;王平;張娟娟 | 申請(專利權)人: | 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技術有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司 |
| 主分類號: | H01L51/52 | 分類號: | H01L51/52;H01L51/54;H01L51/56 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 有機 電致發光 器件 及其 制備 方法 | ||
技術領域
本發明涉及電子器件相關領域,尤其涉及一種有機電致發光器件及其制備方法。
背景技術
有機電致發光器件(OLED)是基于有機材料的一種電流型半導體發光器件。其典型結構是在ITO玻璃上制備幾十納米厚的有機發光材料作發光層,發光層上方有低功函數的金屬電極。當電極上加有電壓時,發光層就產生光輻射。
OLED器件具有主動發光、發光效率高、功耗低、輕、薄、無視角限制等優點,被業內人士認為是最有可能在未來的照明和顯示器件市場上占據霸主地位的新一代器件。作為一項嶄新的照明和顯示技術,OLED技術在過去的十多年里發展迅猛,取得了巨大的成就。由于全球越來越多的照明和顯示廠家紛紛投入研發,大大的推動了OLED的產業化進程,使得OLED產業的成長速度驚人,目前已經到達了大規模量產的前夜。
柔性產品是有機電致發光器件的發展趨勢,但目前普遍存在壽命短的問題,因此封裝的好壞直接影響器件的壽命。傳統技術中采用玻璃蓋或金屬蓋進行封裝,其邊沿用紫外聚合樹脂密封,但這種方法中使用的玻璃蓋或金屬蓋體積往往較大,增加了器件的重量,并且該方法不能應用于柔性有機電致放光器件的封裝。
發明內容
為克服上述現有技術的缺陷,本發明提供了一種有機電致發光器件及其制備方法。本發明有機電致發光器件可有效地減少水汽、氧對有機電致發光器件的侵蝕,保護有機電致發光器件的有機功能材料和電極免遭破壞,滿足封裝的密封性要求,可顯著地提高OLED器件的壽命,本發明制備方法簡單,易大面積制備,適于工業化大規模使用。本發明方法適用于封裝以導電玻璃基板制備的有機電致發光器件,也適用于封裝以塑料或金屬為基底制備的柔性有機電致發光器件。本發明方法尤其適用于封裝柔性有機電致發光器件。
一方面,本發明提供了一種有機電致發光器件,包括依次層疊的陽極導電基板、發光功能層、陰極層和封裝層,所述封裝層為由封裝層單元重疊形成的復合結構;所述封裝層單元包括依次層疊的第一有機阻擋層、第二有機阻擋層、第一無機阻擋層、第三有機阻擋層、第四有機阻擋層和第二無機阻擋層;
所述第一有機阻擋層和第三有機阻擋層的材質均選自1,1-二((4-N,N′-二(對甲苯基)胺)苯基)環己烷、N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-聯苯-4,4'-二胺、8-羥基喹啉鋁、4,4',4''-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺、2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉和1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯中的一種;
所述第二有機阻擋層和第四有機阻擋層的材質均選自4,7-二苯基鄰菲羅啉、2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉、1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯、8-羥基喹啉鋁、二(2-甲基-8-喹啉)-(4-苯基苯酚)鋁和3-(4-聯苯基)-4苯基-5-叔丁基苯-1,2,4-三唑中的一種;
所述第一無機阻擋層材質為金屬氧化物和金屬氟化物形成的混合材料,所述金屬氧化物為氧化鉬、五氧化二釩、三氧化鎢、氧化銫、氧化鎳或二氧化錳;所述金屬氟化物為氟化鋰、氟化鈰、氟化鎂、氟化鋁、氟化鈣或氟化鋇;
所述第二無機阻擋層材質為錸的氧化物和碳化物形成的混合材料,所述錸的氧化物為氧化二錸、氧化錸、三氧化二錸、二氧化錸、五氧化二錸或三氧化錸;所述碳化物為碳化硅、碳化鎢、碳化鉭、碳化硼、碳化鈦或碳化鉿。
優選地,所述封裝層為2~4個封裝層單元重疊形成的復合結構。
優選地,所述第一有機阻擋層、第二有機阻擋層、第三有機阻擋層和第四有機阻擋層的厚度均為200nm~300nm,所述第一無機阻擋層和所述第二無機阻擋層的厚度均為100nm~200nm。
優選地,在第一有機阻擋層中,所述金屬氧化物的質量分數為10%~30%,在第二無機阻擋層中,所述錸的氧化物的質量分數為10%~30%。
優選地,所述發光功能層包括依次層疊的空穴注入層、空穴傳輸層、發光層、電子傳輸層和電子注入層。
優選地,所述陽極導電基板為導電玻璃基板或導電有機薄膜基板。
更優選地,所述陽極導電基板為氧化銦錫(ITO)導電玻璃基板。
優選地,所述陰極層可以為非透明金屬陰極(鋁、銀、金等)層或透明陰極層(介質層/金屬層/介質層等,如ITO/Ag/ITO、ZnS/Ag/ZnS等)。
更優選地,所述陰極層為鋁。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
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