[發(fā)明專利]一種陶瓷覆銅板的制備方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201310101343.2 | 申請(qǐng)日: | 2013-03-27 |
| 公開(公告)號(hào): | CN104072186A | 公開(公告)日: | 2014-10-01 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 徐強(qiáng);林信平 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 比亞迪股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | C04B37/02 | 分類號(hào): | C04B37/02;B32B18/00;B32B15/20;B32B15/04;C04B41/91 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 518118 廣東省*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 陶瓷 銅板 制備 方法 | ||
1.一種陶瓷覆銅板的制備方法,其特征在于,包括以下步驟:
S10、對(duì)厚度為0.2-0.6mm的銅箔的一個(gè)表面進(jìn)行氧化,在該表面形成氧化層;所述氧化的條件包括:氧化氛圍為含氧氮?dú)猸h(huán)境,所述氮?dú)庵醒鯘舛葹?0-500ppm,氧化溫度為500-1000℃;
S20、將銅箔具有氧化層的一個(gè)表面與氧化鋁陶瓷基板貼合,然后在1060-1080℃下共燒結(jié),冷卻后得到表面具有銅箔的陶瓷覆銅基材;
S30、對(duì)陶瓷覆銅基材的銅箔表面進(jìn)行刷磨至表面平整,然后采用蝕刻液進(jìn)行一次蝕刻,至陶瓷覆銅基材表面的銅層厚度為50-150微米;
S40、將經(jīng)過一次蝕刻的陶瓷覆銅基材進(jìn)行貼膜、曝光、顯影處理,然后采用蝕刻液進(jìn)行二次蝕刻,形成線路圖形,得到所述陶瓷覆銅板。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法,其特征在于,步驟S10中,所述銅箔的厚度為0.2-0.4mm;氮?dú)庵醒鯘舛葹?00-200ppm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法,其特征在于,對(duì)銅箔的一個(gè)表面進(jìn)行氧化的步驟包括:將銅箔的一面放置于一個(gè)陶瓷墊板上,然后整體放入網(wǎng)帶燒結(jié)爐中進(jìn)行氧化;所述陶瓷墊板為氧化鋁陶瓷片。
4.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一項(xiàng)所述的制備方法,其特征在于,步驟S20中,所述氧化鋁陶瓷基板的厚度為0.1-1.5mm。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的制備方法,其特征在于,步驟S20中,所述氧化鋁陶瓷基板的厚度為0.38-1mm。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法,其特征在于,步驟S20中,共燒結(jié)的溫度為1064-1073℃。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法,其特征在于,步驟S30中,所述刷磨時(shí)采用的刷磨機(jī)包括兩個(gè)刷輥,第一個(gè)刷輥的尺寸為100-300目,第二個(gè)刷輥的尺寸為500-800目。
8.根據(jù)權(quán)利要求1或7所述的制備方法,其特征在于,步驟S30中,在對(duì)陶瓷覆銅基材進(jìn)行刷磨之前,還包括將陶瓷覆銅基材放入5wt%硫酸中清洗的步驟,清洗時(shí)間為0.5-3min。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法,其特征在于,步驟S40中,在對(duì)陶瓷覆銅基材進(jìn)行貼膜之前,還包括將該陶瓷覆銅基材采用刷磨機(jī)進(jìn)行二次刷磨的步驟;所述二次刷磨采用的刷磨機(jī)包括一個(gè)刷輥,該刷輥的尺寸為800目。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法,其特征在于,步驟S30和S40中,所述蝕刻液各自獨(dú)立地選自CuCl2溶液、FeCl3溶液、過硫酸銨溶液、硫酸/鉻酸混合液、硫酸/雙氧水混合液。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法,其特征在于,步驟S30中,一次蝕刻采用的蝕刻機(jī)的蝕刻頭長(zhǎng)度為1-4m,蝕刻時(shí)走板速度為0.1-0.5m/min,蝕刻壓力為0.1-0.4MPa。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法,其特征在于,步驟S40中,二次蝕刻采用的蝕刻機(jī)的蝕刻頭長(zhǎng)度為1-4m,蝕刻時(shí)走板速度為0.1-0.5m/min,蝕刻壓力為0.1-0.4MPa。
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