[發(fā)明專利]一種輸出短路檢測電路

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310100787.4
• 申請日: 2013-03-27
• 公開（公告）號: CN103217615A
• 公開（公告）日: 2013-07-24
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 李淼
• 申請（專利權(quán)）人: 上海貝嶺股份有限公司
• 主分類號: G01R31/02
• 分類號: G01R31/02
• 代理公司: 上海兆豐知識產(chǎn)權(quán)代理事務所(有限合伙) 31241
• 代理人: 屠軼凡

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及集成電路領(lǐng)域的一種輸出短路檢測電路。

背景技術(shù)

眾所周知，驅(qū)動功率負載的驅(qū)動電路，其通常由一個上拉器件，即第一NMOS管N1和一個下拉器件，即第二NMOS管N2構(gòu)成，兩個驅(qū)動器件各自需要一個輸出短路檢測電路，以防止輸出短路燒毀器件。為提高驅(qū)動效率，上拉器件和下拉器件往往都采用內(nèi)阻較低的NMOS管。第一NMOS管N1由于其特殊的電路結(jié)構(gòu)，會工作在飽和區(qū)驅(qū)動模式和線性區(qū)驅(qū)動模式兩種驅(qū)動模式。

對于第一NMOS管N1，傳統(tǒng)的短路檢測電路單純針對其線性區(qū)驅(qū)動模式下進行設(shè)計，往往導致其飽和區(qū)驅(qū)動模式下檢測失效。因此，現(xiàn)有的輸出短路檢測電路已越來越不能滿足用戶的需要。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的是為了克服現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種輸出短路檢測電路，其不僅能在驅(qū)動電路處于線性區(qū)驅(qū)動模式時對驅(qū)動電路進行短路檢測，還能在驅(qū)動電路處于飽和區(qū)驅(qū)動模式時對驅(qū)動電路進行短路檢測。

實現(xiàn)上述目的的技術(shù)方案是：一種輸出短路檢測電路，包括檢測模塊和比較模塊，用于對驅(qū)動電路的輸出短路進行檢測，該驅(qū)動電路由漏極接電源端VDD的第一NMOS管N1和源極接接地端VSS的第二NMOS管N2串聯(lián)而成，輸出驅(qū)動輸出信號V_drv；

所述的檢測模塊由連接電源端VDD的檢測電阻R1、第三NMOS管N3，以及與所述第一NMOS管N1的源極連接的反饋電阻R2串聯(lián)而成；所述第三NMOS管N3的源極接所述的反饋電阻R2，漏極接所述的檢測電阻R1，所述第三NMOS管N3的柵極接所述第一NMOS管N1的柵極，接收上拉柵壓信號Vhs；

在所述第一NMOS管N1處于飽和區(qū)驅(qū)動模式時，所述驅(qū)動輸出信號V_drv在所述反饋電阻R2上的分壓為反饋電壓信號V_de，所述驅(qū)動輸出信號V_drv在所述檢測電阻R1上的分壓為檢測信號V_sen;

所述比較模塊連接所述第三NMOS管N3的漏極，接收所述檢測信號V_sen；所述比較模塊接收參考電壓信號V_ref；當所述檢測信號V_sen的電位低于所述參考電壓信號V_ref的電位時，所述比較模塊輸出高電平的指示信號V_sc。

進一步的，所述比較模塊包括：第一PMOS管P1、第二PMOS管P2、第四NMOS管N4、第五NMOS管N5、偏置電阻R3；

所述偏置電阻R3的一端接電源端VDD，另一端接所述第一PMOS管P1的源極，所述第四NMOS管N4的源極接接地端VSS，漏極接所述第一PMOS管P1的漏極；

所述第二PMOS管P2的源極與所述第三NMOS管N3的漏極連接，接收所述檢測信號V_sen，所述第五NMOS管N5的源極接接地端VSS，漏極接所述第二PMOS管P2的漏極；

所述第四NMOS管N4的柵極和所述第五NMOS管N5的柵極連接，接收偏置電壓V_bias，所述第一PMOS管P1的柵極連接所述第二PMOS管P2的柵極和漏極，使所述第一PMOS管P1和所述第二PMOS管P2構(gòu)成源極輸入的共柵差分對，使所述偏置電阻R3上生成參考電壓信號V_ref；

當所述檢測信號V_sen的電位低于所述參考電壓信號V_ref的電位時，所述第四NMOS管N4的漏極輸出高電平的指示信號V_sc。

進一步的，所述的比較模塊還包括電容C1,所述電容C1的一端接電源端VDD，另一端同時連接所述第一PMOS管P1的柵極，所述第二PMOS管P2的柵極，以及所述第二PMOS管P2的漏極，所述電容C1通過由所述第二PMOS管P2的漏極輸出的充電信號V_ch進行充電。