[發明專利]化合物半導體器件及其制造方法

無效

• 申請號: 201310100371.2
• 申請日: 2013-03-26
• 公開（公告）號: CN103367425A
• 公開（公告）日: 2013-10-23
• 發明（設計）人: 今西健治
• 申請（專利權）人: 富士通株式會社
• 主分類號: H01L29/778
• 分類號: H01L29/778;H01L21/335
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 顧晉偉;全萬志

1.一種化合物半導體器件，包括：

襯底；

形成在所述襯底之上的電子傳輸層和電子供給層；

形成在所述電子供給層之上的柵電極、源電極和漏電極；

形成在所述電子供給層和所述柵電極之間的p型半導體層；以及

形成在所述電子供給層和所述p型半導體層之間的空穴消除層，所述空穴消除層包含施主或復合中心并且消除空穴。

2.根據權利要求1所述的化合物半導體器件，其中所述p型半導體層為包含Mg的GaN層。

3.根據權利要求1或2所述的化合物半導體器件，其中所述空穴消除層包含p型雜質。

4.根據權利要求3所述的化合物半導體器件，其中所述空穴消除層包含Mg作為所述p型雜質。

5.根據權利要求1或2所述的化合物半導體器件，其中所述空穴消除層包含Si作為所述施主。

6.根據權利要求1或2所述的化合物半導體器件，其中所述空穴消除層包含選自Fe、Cr、Co、Ni、Ti、V和Sc中的至少一種作為所述復合中心。

7.根據權利要求1或2所述的化合物半導體器件，還包括：形成在所述電子供給層和所述p型半導體層之間的空穴阻擋層，所述空穴阻擋層的帶隙比所述電子供給層的帶隙大。

8.根據權利要去7所述的化合物半導體器件，其中

所述電子供給層的組成由Al_xGa_1-xN(0＜x＜1)表示；以及

所述空穴阻擋層的組成由Al_yGa_1-yN(x＜y≤1)表示。

9.根據權利要求7所述的化合物半導體器件，其中

所述電子供給層的組成由Al_xGa_1-xN(0＜x＜1)表示；以及

所述空穴阻擋層的組成由In_zAl_1-zN(0≤z≤1)表示。

10.根據權利要求1或2所述的化合物半導體器件，還包括：形成在所述柵電極與所述p型半導體層之間的柵極絕緣膜。

11.根據權利要求1或2所述的化合物半導體器件，還包括：終端化膜，所述終端化膜覆蓋所述電子供給層的在所述柵電極和所述源電極之間的區域以及在所述柵電極和所述漏電極之間的區域中的每個區域。

12.一種電源裝置，包括：根據權利要求1或2所述的化合物半導體器件。

13.一種放大器，包括：根據權利要求1或2所述的化合物半導體器件。

14.一種制造化合物半導體器件的方法，包括：

在襯底之上形成電子傳輸層和電子供給層；

在所述電子供給層之上形成柵電極、源電極和漏電極；

在形成所述柵電極之前，形成位于所述電子供給層和所述柵電極之間的p型半導體層；以及

在形成所述p型半導體層之前，形成位于所述電子供給層和所述p型半導體層之間的空穴消除層，所述空穴消除層包含施主或復合中心并且消除空穴。

15.根據權利要求14所述的制造化合物半導體器件的方法，其中所述p型半導體層為包含Mg的GaN層。

16.根據權利要求14或15所述的制造化合物半導體器件的方法，其中所述空穴消除層包含p型雜質。

17.根據權利要求16所述的制造化合物半導體器件的方法，其中所述空穴消除層包含Mg作為所述p型雜質。

18.根據權利要求14或15所述的制造化合物半導體器件的方法，其中所述空穴消除層包含Si作為所述施主。

19.根據權利要求14或15所述的制造化合物半導體器件的方法，其中所述空穴消除層包含選自Fe、Cr、Co、Ni、Ti、V和Sc中的至少一種作為所述復合中心。

20.根據權利要求14或15所述的制造化合物半導體器件的方法，還包括：在形成所述空穴消除層之前，形成位于所述電子供給層和所述空穴消除層之間的空穴阻擋層，所述空穴阻擋層的帶隙比所述電子供給層的帶隙大。