[發明專利]化合物半導體器件及其制造方法有效
| 申請號： | 201310100368.0 | 申請日： | 2013-03-26 |
| 公開（公告）號： | CN103367424A | 公開（公告）日： | 2013-10-23 |
| 發明（設計）人： | 吉川俊英 | 申請（專利權）人： | 富士通株式會社 |
| 主分類號： | H01L29/778 | 分類號： | H01L29/778;H01L29/06;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人： | 顧晉偉;董文國 |
| 地址： | 日本神*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 化合物 半導體器件 及其 制造 方法 | ||
1.一種化合物半導體器件，包括：
化合物半導體區；
在所述化合物半導體區上界定元件區的元件隔離結構；
形成在所述元件區上而不形成在所述元件隔離結構上的第一絕緣膜；以及
至少形成在所述元件隔離結構上的并且氫含量高于所述第一絕緣膜的氫含量的第二絕緣膜。
2.根據權利要求1所述的化合物半導體器件，其中所述第一絕緣膜的氫含量是1％以下，所述第二絕緣膜的氫含量是1％以上。
3.根據權利要求1或2所述的化合物半導體器件，其中所述第一絕緣膜和所述第二絕緣膜各自由氧化鋁、氧化鉿、氧氮化鋁或氧化鉭或其任意組合的材料制成。
4.根據權利要求1或2所述的化合物半導體器件，還包括電極，所述電極的至少一部分形成在所述元件區中的所述第一絕緣膜上。
5.根據權利要求4所述的化合物半導體器件，其中所述電極經由所述第一絕緣膜形成在所述元件區中的所述化合物半導體區上方。
6.根據權利要求4所述的化合物半導體器件，其中所述電極經由形成在所述第一絕緣膜中的開口接觸在所述元件區中的所述化合物半導體區。
7.一種制造化合物半導體器件的方法，包括：
在化合物半導體區上形成在元件隔離區上具有開口的并且覆蓋元件區的第一絕緣膜；
在所述元件隔離區中形成元件隔離結構；以及
形成至少覆蓋所述元件隔離結構的并且氫含量高于所述第一絕緣膜的氫含量的第二絕緣膜。
8.根據權利要求7所述的制造化合物半導體器件的方法，其中在700℃以上的溫度下對所述第一絕緣膜進行退火以將所述第一絕緣膜調節為具有低于所述第二絕緣膜的氫含量的氫含量。
9.根據權利要求7或8所述的制造化合物半導體器件的方法，其中在700℃以下的溫度下對所述第二絕緣膜進行退火以將所述第二絕緣膜調節為具有高于所述第一絕緣膜的所述氫含量的所述氫含量。
10.根據權利要求7或8所述的制造化合物半導體器件的方法，其中所述第一絕緣膜的所述氫含量是1％以下，所述第二絕緣膜的所述氫含量是1％以上。
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