[發明專利]一種碲鋅鎘晶體表面沉淀物腐蝕坑的識別方法

無效

• 申請號: 201310100303.6
• 申請日: 2013-03-26
• 公開（公告）號: CN103196919A
• 公開（公告）日: 2013-07-10
• 發明（設計）人: 盛鋒鋒;楊建榮;孫士文;周昌鶴;虞慧嫻;徐超
• 申請（專利權）人: 中國科學院上海技術物理研究所
• 主分類號: G01N21/88
• 分類號: G01N21/88
• 代理公司: 上海新天專利代理有限公司 31213
• 代理人: 郭英

1.一種碲鋅鎘晶體表面沉淀物腐蝕坑的識別方法，包括晶體表面預處理、晶體表面清洗、配制腐蝕液并腐蝕晶體表面和觀察識別晶體缺陷4個步驟，其特征在于：在觀察識別晶體缺陷的步驟中使用常規光學顯微鏡對碲鋅鎘晶片表面的腐蝕坑進行觀察，在顯微鏡1000倍率視場下，腐蝕坑底表面粗糙并因此在顯微鏡下成黑色的三角形、六邊形或不規則形腐蝕坑所對應的缺陷為沉淀物，其中在50倍率視場下觀察，腐蝕坑周圍的材料形貌呈凹坑的孤立腐蝕坑為富碲沉淀物形成的腐蝕坑；腐蝕坑周圍的材料中有大量位錯腐蝕坑集聚的腐蝕坑為富鎘沉淀物形成的腐蝕坑。