[發明專利]半導體裝置、MEMS結構和制作MEMS裝置的電極的方法

有效

• 申請號: 201310099965.6
• 申請日: 2013-03-26
• 公開（公告）號: CN103369441B
• 公開（公告）日: 2017-04-12
• 發明（設計）人: 阿爾方斯·德赫;克里斯蒂安·赫聚姆;馬丁·烏策
• 申請（專利權）人: 英飛凌科技股份有限公司
• 主分類號: H04R19/04
• 分類號: H04R19/04;B81B7/00;B81C1/00
• 代理公司: 北京康信知識產權代理有限責任公司11240
• 代理人: 李靜,張云肖

1.一種半導體裝置，包括：

襯底；

可動電極，所述可動電極包括波紋線，所述波紋線被配置為使所述可動電極的內區剛性；以及

第一反電極，其中，所述可動電極和所述第一反電極機械連接至所述襯底。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，所述波紋線包括多條徑向波紋線。

3.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，所述可動電極進一步包括至少一條周向波紋線。

4.根據權利要求3所述的半導體裝置，其中，所述徑向波紋線位于所述可動電極的內區中，并且其中，所述周向波紋線位于所述可動電極的外區中。

5.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，所述可動電極和所述第一反電極中的至少一個包括多個電極。

6.根據權利要求1所述的半導體裝置，進一步包括第二反電極，所述第二反電極布置為使得所述可動電極位于所述第一反電極和所述第二反電極之間。

7.根據權利要求6所述的半導體裝置，其中，所述第一反電極包括第一波紋線，并且其中，所述第二反電極包括第二波紋線。

8.一種MEMS結構，包括：

襯底；

可動電極，所述可動電極包括位于內區中的徑向波紋線和位于外區中的圓形波紋線；以及

第一穿孔反電極，所述第一穿孔反電極包括第一背脊，其中，所述可動電極和所述第一穿孔反電極機械連接至所述襯底。

9.根據權利要求8所述的MEMS結構，其中，所述可動電極布置在所述第一穿孔反電極下面且更靠近所述襯底。

10.根據權利要求8所述的MEMS結構，其中，所述第一穿孔反電極布置在所述可動電極下面且更靠近所述襯底。

11.根據權利要求8所述的MEMS結構，進一步包括第二穿孔反電極，所述第二穿孔反電極包括第二背脊，其中，所述可動電極布置在所述第一穿孔反電極和所述第二穿孔反電極之間。

12.根據權利要求8所述的MEMS結構，其中，所述第一穿孔反電極包括第一反電極和第二反電極，其中，所述第一反電極與所述可動電極的內區互相對準，并且其中，所述第二反電極與所述可動電極的外區互相對準。

13.根據權利要求12所述的MEMS結構，其中，所述可動電極包括第一可動電極和第二可動電極，其中，所述內區包括所述第一電極，并且其中，所述外區包括所述第二電極。

14.根據權利要求8所述的MEMS結構，其中，所述可動電極具有一半徑，其中，所述內區的內部面積由所述半徑的約80%限定，并且其中，所述外區的外部面積由所述半徑的約20%限定。

15.一種制作MEMS裝置的電極的方法，所述方法包括：

在掩模層中形成徑向開口，所述掩模層布置在第一犧牲層上方，所述徑向開口暴露所述第一犧牲層的表面部分，所述徑向開口遠離所述第一犧牲層的中心點；

在暴露的表面部分處形成絕緣區；

在所述第一犧牲層上方形成第二犧牲層；

在所述第二犧牲層上方形成導電層；

移除所述第一犧牲層的第一部分而形成第一間隔件；以及

移除所述第二犧牲層的第二部分而形成第二間隔件。

16.根據權利要求15所述的方法，其中，形成絕緣區包括將暴露的表面部分氧化或氮化。

17.根據權利要求15所述的方法，進一步包括在形成所述第二犧牲層之前移除所述掩模層和所述絕緣區。

18.根據權利要求17所述的方法，其中，所述開口位于所述第一犧牲層的內區中。

19.根據權利要求15所述的方法，其中，所述開口位于所述第一犧牲層的外區中和所述第一犧牲層的內區中，并且其中，所述開口都具有基本相同的寬度。