[發(fā)明專利]一種SRAM存儲(chǔ)器及其制備方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310099850.7
• 申請日: 2013-03-26
• 公開（公告）號(hào): CN104078427B
• 公開（公告）日: 2017-02-08
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李勇;陶佳佳;居建華
• 申請（專利權(quán)）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/8244
• 分類號(hào): H01L21/8244;H01L21/265;H01L27/11
• 代理公司: 北京市磐華律師事務(wù)所11336
• 代理人: 董巍,高偉

1.一種SRAM存儲(chǔ)器的制備方法，

所述方法包括：

提供半導(dǎo)體襯底；

對所述半導(dǎo)體襯底上的下拉晶體管進(jìn)行halo/LDD離子注入；

對所述半導(dǎo)體襯底上的上拉晶體管進(jìn)行halo/LDD離子注入；

對所述半導(dǎo)體襯底上的核心區(qū)的PMOS區(qū)域進(jìn)行halo/LDD離子注入；

對所述半導(dǎo)體襯底上的核心區(qū)的NMOS區(qū)域進(jìn)行halo/LDD離子注入；

對所述半導(dǎo)體襯底上的輸入輸出區(qū)的PMOS區(qū)域進(jìn)行halo/LDD離子注入；

對所述半導(dǎo)體襯底上的輸入輸出區(qū)的NMOS區(qū)域進(jìn)行halo/LDD離子注入。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法在對下拉晶體管進(jìn)行halo/LDD離子注入前還包括以下步驟：

在所述半導(dǎo)體襯底上形成柵極結(jié)構(gòu)，并對所述柵極結(jié)構(gòu)刻蝕工藝損傷進(jìn)行修復(fù)；

在所述柵極結(jié)構(gòu)的側(cè)壁上形成偏移側(cè)壁。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法還包括形成源漏區(qū)的步驟。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，所述方法還包括在所述源漏區(qū)上形成接觸塞的步驟，以形成電連接。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，對所述核心區(qū)的PMOS晶體管和NMOS晶體管進(jìn)行halo/LDD離子注入的順序調(diào)換。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，對所述輸入輸出區(qū)的PMOS晶體管和NMOS晶體管進(jìn)行halo/LDD離子注入的順序調(diào)換。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述上拉晶體管為PMOS晶體管。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述下拉晶體管為NMOS晶體管。

9.如權(quán)利要求1-8之一所述的方法制備得到的SRAM存儲(chǔ)器。