[發(fā)明專利]一種量測(cè)機(jī)臺(tái)監(jiān)測(cè)圖規(guī)格界限設(shè)定的方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201310099835.2 | 申請(qǐng)日: | 2013-03-26 |
| 公開(公告)號(hào): | CN104078381B | 公開(公告)日: | 2018-07-20 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 馬瑾怡;曹艷;簡(jiǎn)維廷 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/67 | 分類號(hào): | H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京市磐華律師事務(wù)所 11336 | 代理人: | 董巍;高偉 |
| 地址: | 201203 *** | 國(guó)省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 機(jī)臺(tái) 監(jiān)測(cè) 規(guī)格 界限 設(shè)定 方法 | ||
1.一種量測(cè)機(jī)臺(tái)監(jiān)測(cè)圖規(guī)格界限設(shè)定的方法,所述方法根據(jù)所述機(jī)臺(tái)特性參數(shù)、所述機(jī)臺(tái)運(yùn)行過程中的實(shí)際現(xiàn)狀以及所述機(jī)臺(tái)上線狀態(tài)下的量測(cè)要求,來設(shè)定所述機(jī)臺(tái)的規(guī)格界限,以滿足所述機(jī)臺(tái)的量測(cè)性能以及生產(chǎn)量測(cè)需求;其中,以所述機(jī)臺(tái)運(yùn)行中檢測(cè)數(shù)據(jù)6倍的標(biāo)準(zhǔn)差6σ作為所述機(jī)臺(tái)運(yùn)行過程中的實(shí)際現(xiàn)狀的控制線,以上線狀態(tài)下10%的制程規(guī)格作為所述機(jī)臺(tái)上線狀態(tài)下的量測(cè)要求;
所述機(jī)臺(tái)特性參數(shù)包括機(jī)臺(tái)精度要求,當(dāng)所述機(jī)臺(tái)精度要求小于或等于所述機(jī)臺(tái)上線狀態(tài)下的量測(cè)要求時(shí),以所述機(jī)臺(tái)精度要求計(jì)算所述機(jī)臺(tái)過程能力指數(shù)Cp;
當(dāng)所述機(jī)臺(tái)精度要求大于所述機(jī)臺(tái)上線狀態(tài)下的量測(cè)要求時(shí),以所述機(jī)臺(tái)上線狀態(tài)下的量測(cè)要求的制程規(guī)格計(jì)算所述機(jī)臺(tái)過程能力指數(shù)Cp;
根據(jù)計(jì)算得到的所述機(jī)臺(tái)過程能力指數(shù)Cp來制定監(jiān)測(cè)圖規(guī)格界限并判斷機(jī)臺(tái)是否存在異常。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,所述機(jī)臺(tái)特性參數(shù)包括機(jī)臺(tái)精度要求、重復(fù)性和再現(xiàn)性測(cè)試、工具匹配、產(chǎn)量參數(shù),用來表征機(jī)臺(tái)所能達(dá)到的能力參數(shù)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法,其特征在于,所述機(jī)臺(tái)精度要求為機(jī)臺(tái)測(cè)試值和參考值之間的接近程度。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法,其特征在于,所述機(jī)臺(tái)精度要求≤10%,則機(jī)臺(tái)滿足制程的量測(cè)要求。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法,其特征在于,所述方法還要對(duì)所述機(jī)臺(tái)過程能力指數(shù)Cp進(jìn)行監(jiān)控,所述過程能力指數(shù)Cp越大,機(jī)臺(tái)運(yùn)行過程越穩(wěn)定。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,當(dāng)所述機(jī)臺(tái)精度要求≤10%時(shí),根據(jù)計(jì)算得到的所述機(jī)臺(tái)過程能力指數(shù)Cp,將所述機(jī)臺(tái)控制圖分為以下3種:
當(dāng)所述1.33≤Cp≤2時(shí),所述機(jī)臺(tái)的實(shí)際現(xiàn)狀符合所述機(jī)臺(tái)精度要求,直接以所述機(jī)臺(tái)精度要求作為設(shè)定規(guī)格,為控制圖I;
當(dāng)所述Cp>2時(shí),所述機(jī)臺(tái)的實(shí)際現(xiàn)狀超過了所述機(jī)臺(tái)精度要求,以所述機(jī)臺(tái)運(yùn)行中檢測(cè)數(shù)據(jù)6倍的標(biāo)準(zhǔn)差6σ作為設(shè)定規(guī)格,為控制圖II;
當(dāng)所述Cp<1.33時(shí),所述機(jī)臺(tái)的實(shí)際現(xiàn)狀達(dá)不到所述機(jī)臺(tái)精度要求,以所述上線狀態(tài)下10%的制程規(guī)格作為設(shè)定規(guī)格,為控制圖III。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,當(dāng)所述機(jī)臺(tái)精度要求﹥10%時(shí),根據(jù)計(jì)算得到的所述機(jī)臺(tái)過程能力指數(shù)Cp,將所述機(jī)臺(tái)控制圖分為以下4種:
當(dāng)所述1.33≤Cp≤2時(shí),以上線狀態(tài)下10%的制程規(guī)格作為設(shè)定規(guī)格,為控制圖IV;
當(dāng)所述Cp>2時(shí),所述機(jī)臺(tái)的實(shí)際現(xiàn)狀滿足了上線狀態(tài)制程規(guī)格量測(cè)需求,以所述機(jī)臺(tái)運(yùn)行中檢測(cè)數(shù)據(jù)6倍的標(biāo)準(zhǔn)差6σ作為設(shè)定規(guī)格,以改善機(jī)臺(tái)至極致水平,為控制圖V;
當(dāng)所述Cp<1.33時(shí),判斷所述機(jī)臺(tái)運(yùn)行中檢測(cè)數(shù)據(jù)6倍的標(biāo)準(zhǔn)差6σ與所述機(jī)臺(tái)特性參數(shù)的大小,當(dāng)6σ小于機(jī)臺(tái)特性參數(shù),以6σ作為設(shè)定規(guī)格,為控制圖VI;當(dāng)6σ大于機(jī)臺(tái)特性參數(shù),以機(jī)臺(tái)特性參數(shù)作為設(shè)定規(guī)格,為控制圖VII。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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