[發明專利]具有超級結晶體管和另外的器件的半導體裝置

有效

• 申請號: 201310099192.1
• 申請日: 2013-03-26
• 公開（公告）號: CN103367447A
• 公開（公告）日: 2013-10-23
• 發明（設計）人: F.希爾勒;P.伊爾西希勒;A.維爾梅羅特
• 申請（專利權）人: 英飛凌科技奧地利有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/06;H02M3/155
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 馬永利;盧江

1.一種半導體裝置，包括：

半導體主體；

功率晶體管，其設置在半導體主體的第一器件區中并且包括至少一個源極區、漏極區和至少一個主體區、至少一個第一摻雜類型的漂移區和至少一個與第一摻雜類型互補的第二摻雜的補償區以及被設置成鄰近所述至少一個主體區并且通過柵極電介質與主體區電介質絕緣的柵極電極；以及

另外的半導體器件，其設置在半導體主體的第二器件區中，該第二器件區包括包圍第一摻雜類型的第一半導體區的第二摻雜類型的阱狀結構，所述另外的半導體器件包括設置在第一半導體區中的器件區。

2.權利要求1的半導體裝置，進一步包括第一摻雜類型的第二半導體區，該第二半導體區具有比第一半導體區更高的摻雜濃度并且設置在阱狀結構與第一半導體區之間。

3.權利要求2的半導體裝置，其中阱狀結構包括底部部分和側壁部分，并且其中第二半導體區僅僅設置在阱狀結構的底部部分與第一半導體區之間。

4.權利要求1的半導體裝置，其中第二器件區被設置成在半導體主體的橫向方向上遠離第一器件區。

5.權利要求4的半導體裝置，其中邊緣區設置在第一器件區與第二器件區之間，該邊緣區包括多個在半導體主體的垂直方向上延伸的第一摻雜類型的第一邊緣區以及多個在半導體主體的垂直方向上延伸的第二摻雜類型的第二邊緣區，每個第一邊緣區鄰接至少一個第二邊緣區。

6.權利要求1的半導體裝置，其中半導體主體包括第一表面，并且其中阱狀結構延伸到第一表面并且在第一表面的區域中包括比阱狀結構的剩余部分更高地摻雜的部分。

7.權利要求1的半導體裝置，其中功率晶體管包括多個晶體管單元，每個晶體管單元包括源極區、主體區、漂移區和補償區并且具有公共漏極區。

8.權利要求1的半導體裝置，其中半導體主體進一步包括：

形成漏極區的第一半導體層；以及

第二半導體層，其設置在第一半導體層之上，該第二半導體層包括第二器件區以及功率晶體管的所述至少一個漂移區、所述至少一個補償區、所述至少一個源極區和所述至少一個主體區。

9.權利要求1的半導體裝置，其中所述另外的半導體器件實現為橫向功率晶體管。

10.權利要求9的半導體裝置，其中橫向功率晶體管包括：

另外的源極區和另外的漏極區，其設置在第一半導體區中并且在半導體主體的橫向方向上遠離；

至少一個另外的漂移區和另外的主體區，其中所述另外的主體區設置在所述另外的源極區和所述至少一個另外的漂移區之間，并且所述至少一個另外的漂移區設置在所述另外的主體區與所述另外的漏極區之間；以及

另外的柵極電極，其被設置成鄰近所述另外的主體區并且通過另外的柵極電介質與所述另外的主體區電介質絕緣。

11.權利要求10的半導體裝置，其中第一半導體區的部分形成所述至少一個另外的漂移區。

12.權利要求10的半導體裝置，其中橫向功率晶體管進一步包括至少一個摻雜類型與所述至少一個漂移區的摻雜類型互補并且鄰接所述至少一個漂移區的補償區。

13.權利要求12的半導體裝置，其中橫向功率晶體管的所述至少一個補償區連接到所述另外的主體區或者所述另外的源極區。

14.權利要求12的半導體裝置，其中所述至少一個另外的漂移區具有與第一半導體區相同的摻雜類型并且具有更高的摻雜濃度。

15.權利要求10的半導體裝置，其中所述另外的器件區設置在第一器件區與半導體主體的邊緣之間，其中所述另外的漏極區被設置成比所述另外的源極區更靠近該半導體主體的邊緣。

16.一種半橋電路，包括：

低側晶體管和高側晶體管，每一個晶體管包括負載路徑和控制終端；

高側驅動電路，其包括具有電平移位器晶體管的電平移位器；并且

其中低側晶體管和電平移位器晶體管集成到公共半導體主體中。