[發明專利]使用高壓設備的低壓ESD箝位

有效

• 申請號: 201310099063.2
• 申請日: 2013-03-26
• 公開（公告）號: CN103367357A
• 公開（公告）日: 2013-10-23
• 發明（設計）人: M.什里瓦斯塔瓦;C.拉斯;H.戈斯納
• 申請（專利權）人: 英特爾移動通信有限責任公司
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02;H02H9/02
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 蔣駿;王忠忠

1.?一種靜電放電（ESD）保護設備，包括：

第一電路徑，在第一電路節點和第二電路節點之間延伸且包括觸發元件；

第二電路徑，在第一電路節點和第二電路節點之間延伸，該第二電路徑包括分路元件；和

開關元件，被配置為基于觸發元件的狀態和開關元件的狀態二者來觸發經過分路元件的電流。

2.?權利要求1的ESD保護設備，其中開關元件包括：

漏極擴展的MOS晶體管，具有耦合到觸發元件的輸出的柵極、耦合到第一電路節點的漏極區、和耦合到分路元件的第一阱的源極區。

3.?權利要求2的ESD保護設備，其中第一阱是p阱。

4.?權利要求2的ESD保護設備，其中分路元件包括可控硅整流器（SCR）。

5.?權利要求4的ESD保護設備，其中SCR包括：

陽極，耦合到第一電路節點；

陰極，耦合到第二電路節點；和

觸發抽頭，對應于分路元件的第一阱。

6.?權利要求2的ESD保護設備，其中分路元件包括絕緣柵雙極晶體管(IGBT)。

7.?權利要求6的ESD保護設備，其中IGBT包括：

柵極，耦合到觸發元件的輸出；

陽極，耦合到第一電路節點；和

陰極，耦合到第二電路節點。

8.?權利要求7的ESD保護設備，其中IGBT包括具有阱觸點的第一阱。

9.?權利要求8的ESD保護設備，其中第一阱是p阱。

10.?權利要求2的ESD保護設備，其中分路元件包括：

第一淺植入區，置于包括n阱的第二阱中，其中第一淺植入區具有p型傳導性且構成分路元件的第一分路端子；和

第二淺植入區，置于第一阱區中且與第一淺植入區隔開，其中第二淺植入區具有n型傳導性并且其中第二淺植入區構成分路元件的第二分路端子。

11.?權利要求10的ESD保護設備，還包括：

第一STI區，與第一淺植入區鄰近；和

第三淺植入區，與第一STI區鄰近，其中第一STI區在第一和第三淺植入區之間。

12.?權利要求10的ESD保護設備，其中分路元件還包括：

柵極電極，置于第一阱和第二阱之上；和

柵極絕緣層，置于柵極電極和第一阱之間。

13.?權利要求12的ESD保護設備，還包括：

第一STI區，與第一淺植入區鄰近；

第三淺植入區，與第一STI區鄰近，其中第一STI區在第一和第三淺植入區之間；和

第二STI區，與第三淺植入區鄰近且布置在柵極電極之下。

14.?權利要求1的ESD保護設備，還包括：閂鎖保護電路，該閂鎖保護電路包括：

次開關元件，被配置為選擇性地將分路元件的第二阱區耦合到第一電路節點。

15.?權利要求14的ESD保護設備，其中第二阱區是n阱。

16.?權利要求14的ESD保護設備，還包括：

電平移動器電路，具有耦合到觸發元件的輸入和耦合到次開關元件的輸入的輸出。

17.?權利要求14的ESD保護設備，其中分路元件的p阱耦合到第二電路節點。

18.?權利要求2的ESD保護設備，其中分路元件具有耦合到第一電路節點的第一分路端子和耦合到第二電路節點的第二分路端子。

19.?權利要求2的ESD保護設備，其中開關元件包括耦合到觸發元件的輸出的控制端子、耦合到第一電路節點的第一開關端子、和耦合到分路元件的第一阱的第二開關端子。

20.?一種ESD保護設備，包括：

觸發元件，用于檢測ESD脈沖；

開關元件，耦合到觸發元件；

IGBT，耦合到觸發元件且具有耦合到開關元件的襯底區，其中IGBT被配置為基于觸發元件的狀態和開關元件的狀態來選擇性地使能或禁止經過IGBT的電流。