[發(fā)明專利]一種TiCuN納米復(fù)合涂層及其制備方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310098484.3
• 申請日: 2013-03-26
• 公開（公告）號: CN103160783A
• 公開（公告）日: 2013-06-19
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 趙彥輝;于寶海;于傳躍;趙鵬
• 申請（專利權(quán)）人: 沈陽金鋒特種刀具有限公司
• 主分類號: C23C14/06
• 分類號: C23C14/06;C23C14/38
• 代理公司: 沈陽科威專利代理有限責(zé)任公司 21101
• 代理人: 王勇

1.一種TiCuN納米復(fù)合涂層，它包括基體，其特征在于：在基體表面依次是TiCu膜形成的過渡層和TiCuN層。

2.制備權(quán)利要求1所述的一種TiCuN納米復(fù)合涂層的方法，其特征在于：

（1）鍍過渡層：采用鈦銅合金靶，當真空室內(nèi)真空度達到5×10^-3Pa~1×10^-2Pa時，對真空室加熱至300~500oC；向真空室通入氬氣，設(shè)定所需的氣體流量為20～200sccm，氣壓控制在0.5～2Pa之間；基體加脈沖負偏壓在-500～-1000V范圍，使氣體發(fā)生輝光放電，對樣品進行輝光清洗5～30分鐘；調(diào)整氬氣流量，使真空室氣壓為0.3～0.8Pa，同時開啟鈦銅合金靶弧源，弧電流為80～100A，對樣工件繼續(xù)進行Ti⁺及Cu⁺轟擊1～5分鐘；調(diào)脈沖負偏壓至-300V～-600V，沉積TiCu膜即過渡層1~5分鐘；

（2）鍍TiCuN層：停氬氣，通氮氣，氮氣流量控制在10～200sccm，設(shè)定氣壓為0.1～1Pa范圍；對基體施加脈沖負偏壓-300V～-900V；調(diào)制靶電流為70～80A，沉積時間為30~120分鐘；

（3）沉積結(jié)束后，迅速停弧、停基體脈沖負偏壓、停止通入氣體，繼續(xù)抽真空，工件隨爐冷卻至50℃以下。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種TiCuN納米復(fù)合涂層的制備方法，在所使用的鈦銅合金靶的靶材中，銅的含量為5-15%。