[發明專利]雙極性結晶體管及其操作方法與制造方法

有效

• 申請號: 201310097679.6
• 申請日: 2013-03-25
• 公開（公告）號: CN104078495B
• 公開（公告）日: 2017-11-24
• 發明（設計）人: 陳立凡;陳永初;龔正
• 申請（專利權）人: 旺宏電子股份有限公司
• 主分類號: H01L29/73
• 分類號: H01L29/73;H01L29/06;H01L21/331
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司11021
• 代理人: 任巖

1.一種雙極性結晶體管，包括：

一第一摻雜區，具有一第一導電型；

一介電結構，位于該第一摻雜區上；

一導電結構，位于該介電結構上，且該導電結構上能施加一結構電壓；

一第二摻雜區，包括形成于該第一摻雜區中的多個阱區，其中這些阱區具有相反于該第一導電型的一第二導電型，這些阱區通過該第一摻雜區互相分開；以及

一第三摻雜區，具有該第一導電型，其中該第三摻雜區形成在這些阱區中，或形成在這些阱區之間的該第一摻雜區中；

其中，該第二摻雜區更包括一連接區，鄰接在這些阱區之間，并具有該第二導電型，這些阱區的底表面是低于該連接區的底表面。

2.根據權利要求1所述的雙極性結晶體管，其中該第三摻雜區包括一接觸區，具有該第一導電型，并位于這些阱區與該連接區之間，該接觸區位于該連接區上。

3.根據權利要求1所述的雙極性結晶體管，其中該第三摻雜區包括一接觸區，具有該第一導電型，并形成在該第二摻雜區中。

4.一種雙極性結晶體管的操作方法，其中該雙極性結晶體管包括：

一第一摻雜區，具有一第一導電型；

一介電結構，位于該第一摻雜區上；

一導電結構，位于該介電結構上；

一第二摻雜區，包括形成于該第一摻雜區中的多個阱區，其中這些阱區具有相反于該第一導電型的一第二導電型，這些阱區通過該第一摻雜區互相分開；該第二摻雜區更包括一連接區，鄰接在這些阱區之間，并具有該第二導電型，這些阱區的底表面是低于該連接區的底表面；以及

一第三摻雜區，具有該第一導電型，其中該第三摻雜區形成在這些阱區中，或形成在這些阱區之間的該第一摻雜區中，

該操作方法包括：

提供一集極電壓至該第一摻雜區；

提供一結構電壓至該導電結構；

提供一基極電壓至該第二摻雜區；以及

提供一射極電壓至該第三摻雜區。

5.根據權利要求4所述的雙極性結晶體管的操作方法，其中該第三摻雜區包括一接觸區，具有該第一導電型，并位于這些阱區與該連接區之間，該接觸區位于該連接區上。

6.根據權利要求4所述的雙極性結晶體管的操作方法，其中該雙極性結晶體管更包括一柵結構，配置在這些阱區之間的該第一摻雜區上，該操作方法更包括提供一柵極電壓至該柵結構，以在該柵結構下方的該第一摻雜區中形成一連接區，該連接區具有該第二導電型，并鄰接在這些阱區之間。

7.一種雙極性結晶體管的制造方法，包括：

在一第一摻雜區中形成一第二摻雜區的多個阱區，其中該第一摻雜區具有一第一導電型，這些阱區具有相反于該第一導電型的一第二導電型，這些阱區通過該第一摻雜區互相分開；

在該第一摻雜區中異于第二摻雜區的位置形成一介電結構，在該介電結構上形成一導電結構；

在這些阱區中或在這些阱區之間的該第一摻雜區中形成一第三摻雜區，其中該第三摻雜區具有該第一導電型；以及

進行一退火步驟以擴散這些阱區，以形成該第二摻雜區的一連接區鄰接在這些阱區之間，其中該連接區具有該第二導電型，這些阱區的底表面是低于該連接區的底表面。