[發(fā)明專利]偏置控制有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310097361.8 | 申請日： | 2013-03-25 |
| 公開（公告）號： | CN103905749B | 公開（公告）日： | 2017-05-10 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 周國煜;趙亦平 | 申請（專利權(quán)）人： | 臺灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號： | H04N5/374 | 分類號： | H04N5/374;H04N5/3745;H04N5/378 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司11409 | 代理人： | 章社杲,孫征 |
| 地址： | 中國臺*** | 國省代碼： | 臺灣;71 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 偏置 控制 | ||
1.一種用于圖像傳感器的電路，包括：
復(fù)位晶體管，包括復(fù)位柵極、復(fù)位源極和復(fù)位漏極；
源極跟隨器SF晶體管，包括SF柵極、SF源極和SF漏極；
第一轉(zhuǎn)移晶體管，包括第一轉(zhuǎn)移柵極、第一轉(zhuǎn)移源極和第一轉(zhuǎn)移漏極，所述復(fù)位源極連接至所述SF柵極和所述第一轉(zhuǎn)移漏極；
第一偏置控制部分，包括具有第一偏置柵極、第一偏置源極和第一偏置漏極的第一偏置晶體管；以及
第二偏置控制部分，包括開關(guān)和第二偏置晶體管，所述第二偏置晶體管包括第二偏置柵極、第二偏置源極和第二偏置漏極，所述開關(guān)連接至所述第二偏置漏極，所述SF源極連接至所述開關(guān)或所述第一偏置漏極中的至少一個，
在對所述復(fù)位柵極施加高電平的像素的復(fù)位操作期間，所述開關(guān)閉合以將所述第二偏置晶體管連接至像素；以及
在所述復(fù)位操作期間并且在激活所述第二偏置晶體管的特定時間段之后，所述開關(guān)斷開以將所述第二偏置晶體管與所述像素斷開，其中，基于與所述像素相關(guān)聯(lián)的建立時間來選擇所述特定時間段。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于圖像傳感器的電路，所述復(fù)位漏極連接至復(fù)位電壓。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于圖像傳感器的電路，所述第一轉(zhuǎn)移源極連接至第一傳感器，所述第一傳感器接地。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的用于圖像傳感器的電路，所述第一傳感器包括光電二極管。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于圖像傳感器的電路，所述SF源極、所述開關(guān)或所述第一偏置漏極中的至少一個連接至輸出節(jié)點。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于圖像傳感器的電路，所述復(fù)位源極、所述SF柵極或所述第一轉(zhuǎn)移漏極中的至少一個連接至浮置擴散FD節(jié)點。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的用于圖像傳感器的電路，包括：
第二轉(zhuǎn)移晶體管，包括第二轉(zhuǎn)移柵極、第二轉(zhuǎn)移源極和第二轉(zhuǎn)移漏極，所述第二轉(zhuǎn)移漏極連接至所述FD節(jié)點；
第三轉(zhuǎn)移晶體管，包括第三轉(zhuǎn)移柵極、第三轉(zhuǎn)移源極和第三轉(zhuǎn)移漏極，所述第三轉(zhuǎn)移漏極連接至所述FD節(jié)點；以及
第四轉(zhuǎn)移晶體管，包括第四轉(zhuǎn)移柵極、第四轉(zhuǎn)移源極和第四轉(zhuǎn)移漏極，所述第四轉(zhuǎn)移漏極連接至所述FD節(jié)點。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的用于圖像傳感器的電路：
所述第二轉(zhuǎn)移源極連接至第二傳感器，所述第二傳感器接地；
所述第三轉(zhuǎn)移源極連接至第三傳感器，所述第三傳感器接地；以及
所述第四轉(zhuǎn)移源極連接至第四傳感器，所述第四傳感器接地。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于圖像傳感器的電路，所述復(fù)位晶體管包括n型金屬氧化物半導(dǎo)體(NMOS)晶體管。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于圖像傳感器的電路，所述第一轉(zhuǎn)移晶體管包括n型金屬氧化物半導(dǎo)體(NMOS)晶體管。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于圖像傳感器的電路，所述SF晶體管包括n型金屬氧化物半導(dǎo)體(NMOS)晶體管。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于圖像傳感器的電路，所述第一偏置晶體管包括n型金屬氧化物半導(dǎo)體(NMOS)晶體管。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于圖像傳感器的電路，所述第二偏置晶體管包括n型金屬氧化物半導(dǎo)體(NMOS)晶體管。
14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于圖像傳感器的電路，所述開關(guān)被配置為基于與所述電路相關(guān)聯(lián)的讀出建立而閉合。
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