[發明專利]一種太陽能電池硅片背面及邊緣擴散層的刻蝕方法

無效

• 申請號: 201310096924.1
• 申請日: 2013-03-25
• 公開（公告）號: CN104078527A
• 公開（公告）日: 2014-10-01
• 發明（設計）人: 蔣新;鄭曄
• 申請（專利權）人: 蘇州晶洲裝備科技有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術領域

本發明涉及太陽能電池片制作工藝領域，尤其涉及一種太陽能電池硅片背面拋光及邊緣刻蝕方法。?

背景技術

當今主流濕法刻蝕方法的現狀和缺點：?

1、利用溶液表面張力，使硅片漂浮在腐蝕液面進行背面和邊緣的腐蝕，然后再用HF去除PSG。該方法的缺點是：由于PSG是親水性的，硅片漂浮的時候，上表面親水的PSG很容易將溶液吸附到上表面，造成過刻，電池有效工作面積減小，造成產品性能的下降。所以該放法對設備的機械精度要求很高，并且對使用過程中排風的穩定性等要求也比較高。?

2、先去PSG，再使硅片漂浮在腐蝕液面進行刻蝕。去除PSG后的硅片上表面是疏水的，即使機械加工精度不是很高，，溶液也不易漫延到上表面去，能獲得較窄的邊緣刻蝕效果。該方法的缺點是：由于PSG先被去掉，硅片在進行后續KOH多孔硅去除工藝的時候，由于正面缺乏PSG的緩沖保護，堿液對PN結會輕微腐蝕，造成方塊電阻不可控飄升的情況，給整個工藝的穩定性帶?來很大影響。?

3、利用傳動滾輪將腐蝕溶液帶到硅片背面進行刻蝕，硅片與液面不直接接觸，解決了溶液由于表面張力容易蔓延破壞正面的問題。該方法的缺點是：滾輪帶液量有限，容易造成腐蝕不充分。另外由于帶液滾輪的單一方向轉動，會造成硅片前后兩端腐蝕程度不同，導致刻蝕不均。?

4、掩膜法刻蝕：在硅片擴散面做耐腐蝕的掩膜保護層，浸入腐蝕液完成刻蝕工藝后，清洗掉掩膜。由于掩膜的保護，正面不存在被破壞的問題。該方法的缺點是：硅片表面形成保護膜或保護膠本身即是成本很高的工序，而且掩膜保護層的有效去除往往也是很困難的。?

發明內容

本發明是為了解決上述不足，提供了一種太陽能電池硅片背面拋光及邊緣刻蝕方法。?

本發明的上述目的通過以下的技術方案來實現：一種太陽能電池硅片背面拋光及邊緣刻蝕方法，包括以下步驟：?

A、腐蝕掩膜保護層：在硅片正面，利用擴散自然形成的磷硅玻璃或硼硅玻璃作為硅片正面的掩膜保護層；將擴散完畢的硅片的背面和側面的磷硅玻璃或硼硅玻璃腐蝕掉，然后用去離子水?沖洗；?

B、腐蝕擴散層及拋光：將硅片放入選擇性拋光腐蝕液中，將硅片沒有掩膜保護層的背面、側面的擴散層腐蝕掉，同步實現硅片背面的化學拋光，然后用去離子水沖洗；?

C、清洗：采用HF清洗硅片，并去除剩余的磷硅玻璃或硼硅玻璃層。?

本發明與現有技術相比的優點是：本發明采用掩膜保護擴散面，浸入式腐蝕，保證了良好的邊緣刻蝕效果。保護層利用擴散自然形成的磷硅玻璃(或硼硅玻璃)，無需額外增加掩膜制備工藝，不增加任何成本。同步實現背面化學拋光效果，使太陽電池片效率得到可觀提升，背面拋光工藝結合背面鈍化技術，前景廣闊。對設備機械精度容忍度很高，節約了設備制造成本，同時工藝穩定，容易控制。本發明適用性廣，N型P型太陽電池均適用。?

具體實施方式

下面對本發明進一步詳述：?

本實施例以P156多晶硅片為測試樣本。?

擴散后的P156硅片，先利用HF去除側面和背面的磷硅玻璃(或硼硅玻璃)，再置入選擇性拋光腐蝕液中，去除側面和背面的PN結，最后用HF溶液清洗，達到去除剩余磷硅玻璃(或硼硅?玻璃)及硅片清洗的目的。?

測試樣本為P156多晶硅片，電阻率0.5-3，與不同效率基礎的傳統工藝相比，經本發明所述工藝方法制作的太陽電池片，最終效率提高顯著。?

以上所述僅為本發明的實施例，并非因此限制本發明的專利范圍，凡是利用本發明說明書內容所作的等效結構或等效流程變換，或直接或間接運用在其他相關的技術領域，均同理包括在本發明的專利保護范圍內。?