[發明專利]一種基于磁電耦合抵消技術的寬阻帶LTCC帶通濾波器

有效

• 申請號: 201310096832.3
• 申請日: 2013-03-25
• 公開（公告）號: CN103187603A
• 公開（公告）日: 2013-07-03
• 發明（設計）人: 章秀銀;代鑫;蔡澤煜;胡斌杰
• 申請（專利權）人: 華南理工大學
• 主分類號: H01P1/203
• 分類號: H01P1/203
• 代理公司: 廣州粵高專利商標代理有限公司 44102
• 代理人: 何淑珍

1.基于磁電耦合抵消技術的寬阻帶LTCC帶通濾波器，其特征在于包括四層介質基板和四層導體層，四層介質基板從上到下依次為第一介質板（1）、第二介質板（2）、第三介質板（3）和第四介質板（4），所述的四層介質基板均為LTCC陶瓷介質基板；所述第一導體層印制于第一介質基板（1）上表面，第二導體層印制于第二介質基板（2）上表面，第三導體層印制于第三介質基板（3）上表面，第四導體層印制于第四介質基板（4）上表面；所述印制采用LTCC印刷工藝。

2.根據權利要求1所述的基于磁電耦合抵消技術的寬阻帶LTCC帶通濾波器，所述第一導體層由一對結構相同的饋電結構組成，這對結構相同的饋電結構呈鏡像對稱，每一個饋電結構包括一塊饋電貼片（5）、一個CPW饋電口（6）和一個L型金屬微帶線（7），L型金屬微帶線（7）連接在饋電貼片（5）靠近前述鏡像對稱中心的一側，并與對稱中心另一側的L型金屬微帶線（7）構成源負載耦合，源負載耦合在濾波器通帶左邊產生了一個傳輸零點；CPW饋電口通過接地金屬化過孔（11）連接到第三導體層（9）。

3.根據權利要求1所述的基于磁電耦合抵消技術的寬阻帶LTCC帶通濾波器，其特征在于第二導體層和第四導體層上分布有兩個四分之一波長諧振器；每個四分之一波長諧振器均有一部分位于第二導體層，另一部分位于第四導體層上，這兩部分通過第二金屬化過孔（13）相連，金屬化過孔（13）穿過位于第三導體層上的開孔（14），且金屬化過孔（13）不與第三導體層直接接觸；四分之一波長諧振器的短路端位于第二導體層且通過第一金屬化過孔（12）連接到第三導體層；所述兩個四分之一波長諧振器在第二導體層和第四導體層上均呈鏡像對稱分布，位于同一導體層上的四分之一波長諧振器部分通過邊耦合產生磁電耦合，四分之一波長諧振器在第二導體層上的耦合部分為諧振器短路端，以磁耦合為主；四分之一波長諧振器在第四導體層上的耦合部分為諧振器開路端，以電耦合為主。

4.根據權利要求3所述的基于磁電耦合抵消技術的寬阻帶LTCC帶通濾波器，所述第三導體層為金屬地板（9），第三導體層上有兩個開孔（14）供所述金屬化過孔（13）穿過，并且金屬化過孔（13）和金屬地板之間留有間隙。