[發明專利]一種降低陰影和硬質點的多晶硅鑄錠熱場結構及方法

有效

• 申請號: 201310096662.9
• 申請日: 2013-03-25
• 公開（公告）號: CN103184516A
• 公開（公告）日: 2013-07-03
• 發明（設計）人: 李檜林;楊曉生;段金剛
• 申請（專利權）人: 湖南紅太陽光電科技有限公司
• 主分類號: C30B28/06
• 分類號: C30B28/06;C30B29/06
• 代理公司: 長沙正奇專利事務所有限責任公司 43113
• 代理人: 馬強

1.一種降低陰影和硬質點的多晶硅鑄錠熱場結構，其特征在于，它包括隔熱籠（1）；所述隔熱籠（1）內設有底座（9）；所述底座（9）上設有石墨塊（8）；所述石墨塊（8）上設有由石墨護板（4）包裹的坩堝（5）；所述坩堝（5）上方設有頂部加熱器（2），坩堝（5）四周環設有側部加熱器（3）；所述側部加熱器（3）的高度b為380～420mm；所述頂部加熱器（2）與側部加熱器（3）頂端的垂直距離a為180～200mm。

2.如權利要求1所述的熱場結構，其特征在于，所述坩堝（5）為G5加高坩堝，其高度為550～650mm。

3.如權利要求1所述的熱場結構，其特征在于，所述隔熱籠（1）底部設有冷卻管（7）。

4.一種利用權利要求1所述熱場結構降低陰影和硬質點的多晶硅鑄錠方法，其特征在于，所述方法是將硅料放入坩堝中鑄錠，投料量為580～680kg；鑄錠工藝中長晶各階段的參數如下，且隔熱籠在每個階段提升：?

G1階段：長晶時間為0.5～1.5h、溫度設定值為1430～1440℃、隔熱籠提升5～8cm；

G2階段：長晶時間為2～5h、溫度設定值為1430～1440℃、隔熱籠提升7～10cm；

G3階段：長晶時間為5～6h、溫度設定值為1428～1436℃、隔熱籠提升9～12cm；

G4階段：長晶時間為0.5～1.5h、溫度設定值為1426～1432℃、隔熱籠提升11～14cm；

G5階段：長晶時間為03～5h、溫度設定值為1422～1430℃、隔熱籠提升14～17cm；

G6階段：長晶時間為4～6h、溫度設定值為1412～1420℃、隔熱籠提升17～20cm；

G7階段：長晶時間為4～6h、溫度設定值為1404～1410℃、隔熱籠提升19～21cm；

G8階段：長晶時間為9～13h、溫度設定值為1400～1408℃、隔熱籠提升19～21cm；

G9階段：長晶時間為3～5h、溫度設定值為1396～1405℃、隔熱籠提升19～21cm。