[發(fā)明專利]一種純鈦微弧氧化涂層及其應(yīng)用有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310096457.2 | 申請日： | 2013-03-25 |
| 公開（公告）號： | CN103147111A | 公開（公告）日： | 2013-06-12 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 鄒智群;李元忠;趙秀蘭;李德超;劉云;朱建華;王洪艷;潘攀;黑曉霞;胡忠博;王萌;姜全春;劉楠楠;吳孝楠;曲平川;劉曉晶;王春娜;劉苗;陳乙滋;周宏志;張蕊 | 申請（專利權(quán)）人： | 鄒智群 |
| 主分類號： | C25D11/26 | 分類號： | C25D11/26;A61L27/30 |
| 代理公司： | 北京紀(jì)凱知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11245 | 代理人： | 關(guān)暢 |
| 地址： | 116600 遼寧省大連市*** | 國省代碼： | 遼寧;21 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 純鈦微弧 氧化 涂層 及其 應(yīng)用 | ||
1.純鈦微弧氧化涂層，由基體，以及與所述基體結(jié)合的表面多孔的氧化膜組成；
所述基體為鈦；所述氧化膜為含有硅元素和鈣元素的銳鈦礦型二氧化鈦；
所述硅元素在所述氧化膜中的質(zhì)量百分含量為2.2%；所述鈣元素在所述氧化膜中的質(zhì)量百分含量為1.5%。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的純鈦微弧氧化涂層，其特征在于：所述孔的直徑為2μm。
3.制備權(quán)利要求1或2所述純鈦微弧氧化涂層的方法，包括如下步驟：將鈦置于電解液中，以所述鈦為陽極，以不銹鋼為陰極，在電壓為200V、頻率為600Hz、占空比為8%的條件下，氧化5min，得到所述純鈦微弧氧化涂層；
所述電解液的溶質(zhì)為硅酸鈉、氫氧化鈉、乙酸鈣、乙二胺四乙酸二鈉，溶劑為水；所述硅酸鈉、所述氫氧化鈉、所述乙酸鈣、所述乙二胺四乙酸二鈉和所述水的配比為14.2g：20g：8.8g：15g：9L；所述電解液的pH為.2。
4.權(quán)利要求1或2所述純鈦微弧氧化涂層在作為動物體硬組織替換材料或植入體中的應(yīng)用。
5.權(quán)利要求1或2所述純鈦微弧氧化涂層在作為細(xì)胞培養(yǎng)基底材料中的應(yīng)用。
6.權(quán)利要求1或2所述純鈦微弧氧化涂層在制備促進(jìn)細(xì)胞增殖的產(chǎn)品中的應(yīng)用。
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