[發明專利]一種超疏水性硅襯底制造方法

有效

• 申請號: 201310096168.2
• 申請日: 2013-03-25
• 公開（公告）號: CN103172017B
• 公開（公告）日: 2017-02-22
• 發明（設計）人: 吳文剛;王詣斐;楊增飛;錢闖
• 申請（專利權）人: 北京大學
• 主分類號: B81C1/00
• 分類號: B81C1/00
• 代理公司: 北京紀凱知識產權代理有限公司11245
• 代理人: 徐寧,關暢

1.一種超疏水性硅襯底制造方法，其包括以下步驟：

1）通過傳統的微電子工藝對硅襯底進行光刻刻蝕，加工出微米級別的硅柱陣列；

2）對經步驟1）加工后的硅襯底，采用氧等離子刻蝕方法進行處理，一方面去除殘余的掩模有機物，另一方面對硅表面進行親水化處理；

3）將制備好的聚苯乙烯納米顆粒懸濁液倒入一容器中，將經步驟2）處理過的硅襯底，硅柱面朝上浸泡在所述容器中，此時液面高度要沒過帶有硅柱的硅襯底；

4）將容器放置在室溫條件下自然蒸發，使聚苯乙烯納米顆粒在液體表面張力的作用下固定在硅柱和硅襯底表面；

5）采用氧等離子刻蝕方法，刻蝕經步驟4）得到的硅柱和硅襯底表面的聚苯乙烯納米顆粒，致使聚苯乙烯納米顆粒的直徑減小至預定值；

6）采用化學氣相淀積方法，在硅襯底和硅柱表面淀積一層本征弱疏水的聚對二甲苯薄膜，即得到超疏水性襯底。

2.如權利要求1所述的一種超疏水性硅襯底制造方法，其特征在于：所述步驟3）中，聚苯乙烯納米顆粒懸濁液是由聚苯乙烯納米顆粒原液加入去離子水稀釋得到，懸濁液的濃度為每毫升1×10¹²～8×10¹²個。

3.如權利要求1所述的一種超疏水性硅襯底制造方法，其特征在于：所述步驟4）中，將容器放置在一蒸發臺中，并通入氮氣加速蒸發。

4.如權利要求2所述的一種超疏水性硅襯底制造方法，其特征在于：所述步驟4）中，將容器放置在一蒸發臺中，并通入氮氣加速蒸發。

5.如權利要求1或2或3或4所述的一種超疏水性硅襯底制造方法，其特征在于：所述步驟5）中，聚苯乙烯納米顆粒直徑的預定值為400～500nm。

6.如權利要求1或2或3或4所述的一種超疏水性硅襯底制造方法，其特征在于：所述步驟6）中，聚對二甲苯薄膜的厚度為50nm～150nm。

7.如權利要求5所述的一種超疏水性硅襯底制造方法，其特征在于：所述步驟6）中，聚對二甲苯薄膜的厚度為50nm～150nm。