[發(fā)明專利]折射率漸變的光子晶體發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310095993.0
• 申請日: 2013-03-25
• 公開（公告）號: CN103151440A
• 公開（公告）日: 2013-06-12
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 趙玲慧;馬平;甄愛功;王軍喜;曾一平;李晉閩
• 申請（專利權(quán)）人: 中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所
• 主分類號: H01L33/44
• 分類號: H01L33/44
• 代理公司: 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021
• 代理人: 湯保平

1.一種折射率漸變的光子晶體發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其包括：

一襯底；

一成核層，該成核層制作在襯底的上面；

一緩沖層，該緩沖層制作在成核層的上面；

一n型接觸層，該n型接觸層制作在緩沖層的上面，該n型接觸層的一側(cè)形成有一臺面；

一活性發(fā)光層，該活性發(fā)光層制作在n型接觸層臺面另一側(cè)的上面；

一p型電子阻擋層，該p型電子阻擋層制作在活性發(fā)光層的上面；

一p型接觸層，該p型接觸層制作在p型電子阻擋層的上面；

一折射率漸變陣列式光子晶體，該折射率漸變陣列式光子晶體制作在p型接觸層上；

一負(fù)電極，該負(fù)電極制作在n型接觸層一側(cè)的臺面的上面；

一正電極，該正電極制作在折射率漸變陣列式光子晶體的上面。

2.如權(quán)利要求1所述的折射率漸變的光子晶體發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其中所述的襯底的材料為C面、R-面或A-面的氧化鋁單晶、6H-SiC或4H-SiC以及晶格常數(shù)接近于氮化物半導(dǎo)體的單晶氧化物。

3.如權(quán)利要求1所述的折射率漸變的光子晶體發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其中所述的折射率漸變陣列式的光子晶體為折射率漸變的陣列式孔狀光子晶體結(jié)構(gòu)。

4.如權(quán)利要求3所述的折射率漸變的光子晶體發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其中所述的折射率漸變陣列式的光子晶體是通過電子束曝光、激光全息曝光干涉、納米壓印或者聚苯乙烯球的方式制作。

5.如權(quán)利要求4所述的折射率漸變的光子晶體發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其中所述的折射率漸變陣列式的光子晶體是通過感應(yīng)耦合等離子體刻蝕的方法獲得。

6.如權(quán)利要求5所述的折射率漸變的光子晶體發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其中所述的折射率漸變陣列式的光子晶體的晶格常數(shù)為100-10000納米；折射率漸變陣列式的光子晶體的孔深為50-2000納米；折射率漸變陣列式的光子晶體孔陣列的排布為三角形、方形或六邊形。