[發(fā)明專利]適用于高溫氧化物晶體生長的輔助監(jiān)測系統(tǒng)

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310095356.3
• 申請日: 2013-03-22
• 公開（公告）號: CN103194803A
• 公開（公告）日: 2013-07-10
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 李紅軍;陳偉超;唐慧麗;徐軍;錢小波;胡克艷;王靜雅;汪傳勇;吳鋒;唐飛
• 申請（專利權(quán)）人: 中國科學院上海硅酸鹽研究所
• 主分類號: C30B35/00
• 分類號: C30B35/00;C30B29/16
• 代理公司: 上海瀚橋?qū)＠硎聞?wù)所(普通合伙) 31261
• 代理人: 曹芳玲;鄭優(yōu)麗

1.一種適用于高溫氧化物晶體生長的輔助監(jiān)測系統(tǒng)，其特征在于，包括：

夾持籽晶的籽晶夾持單元；

設(shè)計為與所述籽晶夾持單元和所述籽晶絕緣的生長爐，所述生長爐容納有用于生長晶體的熔體；以及

一端連接到所述籽晶夾持單元，并且另一端連接到所述生長爐的電容監(jiān)測單元，所述電容監(jiān)測單元用于在晶體生長過程中監(jiān)測隨著晶體和熔體的相對比例變化而變化的電容值而輸出電容信號。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的輔助監(jiān)測系統(tǒng)，其特征在于，所述輔助監(jiān)測系統(tǒng)還包括與所述電容監(jiān)測單元通信連接的數(shù)據(jù)處理單元，所述數(shù)據(jù)處理單元將所述電容監(jiān)測單元輸出的電容信號轉(zhuǎn)變?yōu)榉磻?yīng)晶體生長狀況的數(shù)據(jù)。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的輔助監(jiān)測系統(tǒng)，其特征在于，反應(yīng)晶體生長狀況的數(shù)據(jù)包括晶體生長速度、晶體體積、和晶體質(zhì)量。

4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的輔助監(jiān)測系統(tǒng)，其特征在于，所述數(shù)據(jù)處理單元包括濾波調(diào)制裝置以去除電磁場干擾并將來自所述電容監(jiān)測單元的電容信號轉(zhuǎn)變?yōu)殡妷盒盘枴?/p>

5.根據(jù)權(quán)利要求2～4中任一項所述的輔助監(jiān)測系統(tǒng)，其特征在于，所述輔助監(jiān)測系統(tǒng)還包括與所述數(shù)據(jù)處理單元通信連接的用于測量所述熔體的溫度的測溫單元，所述數(shù)據(jù)處理單元根據(jù)所述測溫單元測得的溫度校正來自所述電容監(jiān)測單元的電容信號。

6.根據(jù)權(quán)利要求1～5中任一項所述的輔助監(jiān)測系統(tǒng)，其特征在于，所述籽晶夾持單元包括籽晶桿和籽晶夾頭。