[發(fā)明專利]有電流測量單元的集成功率晶體管電路裝置及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310095325.8
• 申請日: 2013-03-22
• 公開（公告）號: CN103325768A
• 公開（公告）日: 2013-09-25
• 發(fā)明（設計）人: 布里塔·武特
• 申請（專利權）人: 英飛凌科技奧地利有限公司
• 主分類號: H01L23/528
• 分類號: H01L23/528;H01L29/41
• 代理公司: 北京康信知識產(chǎn)權代理有限責任公司 11240
• 代理人: 余剛;李慧

1.一種集成功率晶體管電路裝置，其特征在于，

至少一個布置在單元區(qū)（500）中的晶體管單元（100），所述晶體管單元具有摻雜區(qū)域（110），所述摻雜區(qū)域形成在半導體基底（190）中，并且在所述半導體基底（190）的第一側(cè)上鄰接于第一表面（101）；

電極結構，所述電極結構在所述半導體基底（190）的所述第一側(cè)上形成在所述單元區(qū)（500）垂直于所述第一表面（101）的投影中；并且

接觸結構（300），所述接觸結構形成在所述半導體基底（190）的所述第一側(cè)上，并且與所述摻雜區(qū)域（110）和所述電極結構導電連接，其中，所述接觸結構（300）具有在所述電極結構和所述半導體基底（190）之間的第一部段（310）以及在所述單元區(qū)（500）外部的第二部段（320），并且所述第二部段（320）利用接口結構連接所述第一部段（310）。

2.根據(jù)權利要求1所述的集成功率晶體管電路裝置，其特征在于，所述摻雜區(qū)域（110）設計為帶狀的并且沿著第一方向延伸；并且所述第二部段（320）具有一個或者多個分別從所述第一部段（310）出發(fā)在所述第一方向上延伸的第一子部段（321）和第二子部段（322），所述第二子部段連接一個或者多個所述第一子部段（321），并且自身沿著第二方向延伸，所述第二方向與所述第一方向相交。

3.根據(jù)權利要求1或2中任一項所述的集成功率晶體管電路裝置，其特征在于，所述摻雜區(qū)域（110）構成所述晶體管單元（100）的源極區(qū)域（100）和所述電極結構構成源極電極（391）。

4.根據(jù)權利要求1至3中任一項所述的集成功率晶體管電路裝置，其特征在于，所述第二子部段（322）設計為帶狀并且平行于所述電極結構的直線邊棱延伸。

5.根據(jù)權利要求1至4中任一項所述的集成功率晶體管電路裝置，其特征在于，所述晶體管單元（110）中的每一個都具有柵極導體結構（112），所述集成功率晶體管電路裝置還包括柵極電極（393），所述柵極電極布置在所述第一側(cè)上并且與所述柵極導體結構（112）電連接；并且所述第二子部段（322）設計為帶狀并且平行于所述電柵極電極（393）的直線邊棱延伸。

6.根據(jù)權利要求5所述的集成功率晶體管電路裝置，其特征在于，在與所述半導體基底（190）的所述第一側(cè)相對設置的第二側(cè)上的另一個摻雜區(qū)域（180），其中，所述摻雜區(qū)域（110）和所述另一個摻雜區(qū)域（180）具有相同的傳導類型，并且通過施加在所述柵極導體結構（112）上的電勢能控制在所述摻雜區(qū)域（110）和所述另一個摻雜區(qū)域（180）之間的電流。

7.根據(jù)權利要求5或6中任一項所述的集成功率晶體管電路裝置，其特征在于，

介電層（200），所述介電層布置在所述第一表面（101）和所述接觸結構（300）之間，并且

在所述單元區(qū)（500）外部的多個第一貫穿式接觸結構（293），其中，每個所述第一貫穿式接觸結構（293）都穿過所述介電層（200）延伸，并且所述柵極電極（393）與所述柵極導體結構（112）中的一個電連接，其中

所述第一貫穿式接觸結構（293）和所述接觸結構（300）的至少一個直接與所述介電層（200）相鄰的部分層由相同材料或者多種相同材料構成。

8.根據(jù)權利要求5至7中任一項所述的集成功率晶體管電路裝置，其特征在于，所述柵極導體結構（112）設置在柵極溝槽（118）中，所述柵極溝槽從所述第一表面（101）出發(fā)延伸進入所述半導體基底（190）中。

9.根據(jù)權利要求1至6中任一項所述的集成功率晶體管電路裝置，其特征在于，

介電層（200），所述介電層布置在所述第一表面（101）和所述接觸結構（300）之間，以及

在所述單元區(qū)（500）中的多個第二貫穿式接觸結構（291），其中，所述第二貫穿式接觸結構（291）穿過所述介電層（200）延伸，并且所述接觸結構（300）與所述摻雜區(qū)域（110）電連接，其中，所述第二貫穿式接觸結構（291）和所述接觸結構（300）由相同材料或者多種相同材料構成。

10.根據(jù)權利要求1至9中任一項所述的集成功率晶體管電路裝置，其特征在于，所述接觸結構（300）的厚度最大為300納米，并且所述電極結構的厚度至少為1微米。