[發明專利]具有可編程基板的可編程天線

有效

• 申請號: 201310095268.3
• 申請日: 2013-03-22
• 公開（公告）號: CN103326107A
• 公開（公告）日: 2013-09-25
• 發明（設計）人: 尼古勞斯·G·亞歷克索普洛斯;艾爾弗雷德·格勞·貝索利;赫里索烏拉·基里亞齊多
• 申請（專利權）人: 美國博通公司
• 主分類號: H01Q1/22
• 分類號: H01Q1/22;H01Q1/38;H01Q23/00
• 代理公司: 北京康信知識產權代理有限責任公司 11240
• 代理人: 田喜慶

1.一種電路，包括：

印刷電感器；

印刷天線；以及

基板，在第一區域內支撐所述印刷電感器并且在第二區域內支撐所述印刷天線，其中，所述第一區域具有高的磁導率而所述第二區域具有高的介電常數。

2.根據權利要求1所述的電路，進一步包括：

第一可變阻抗電路，調諧所述第一區域的磁導率；以及

第二可變阻抗電路，調諧所述第二區域的介電常數。

3.根據權利要求1所述的電路，進一步包括：

投影人工磁鏡（PAMM），在半導體基板的表面上方一定距離處產生作為電磁特性的人工磁導體（AMC）。

4.根據權利要求3所述的電路，其中，所述PAMM進一步包括：

多個人工磁鏡（AMM）單元，其中，所述多個AMM單元中的一個AMM單元包括：

導電元件，形成集總的電阻器-電感器-電容器（RLC）電路；以及

阻抗元件，耦接至所述導電元件，其中，所述阻抗元件的阻抗和所述RLC電路的阻抗確定了有助于所述AMC的給定頻率范圍內的AMM單元的電磁性能。

5.根據權利要求1所述的電路，進一步包括：

電容器，被支撐在所述基板的第三區域中，其中，隨著所述第三區域的介電常數變化，所述電容器的電容發生變化，從而提供射頻（RF）變抗器。

6.根據權利要求1所述的電路，進一步包括以下中的一個：

雙工器，被支撐在所述基板的第三區域中，其中，所述第三區域具有高介電常數和高磁導率中的至少一個；

天線共用器，被支撐在所述基板的第三區域中，其中，所述第三區域具有高介電常數和高磁導率中的至少一個；

功率放大器的負載線，被支撐在所述基板的第三區域中，其中，所述第三區域具有高介電常數和高磁導率中的至少一個；以及

移相器，被支撐在所述基板的第三區域中，其中，所述第三區域具有高介電常數和高磁導率中的至少一個。

7.根據權利要求1所述的電路，進一步包括：

多個金屬介電單元，其中，所述多個金屬介電單元中的一個單元包括：

導電元件，形成集總的電阻器-電感器-電容器（RLC）電路；以及

阻抗元件，耦接至所述導電元件，其中，所述阻抗元件的阻抗和所述RLC電路的阻抗確定了給定頻率范圍內的所述單元的電磁性能；

其中，所述多個金屬介電單元中的至少一些被調諧為經由不同的路徑通過所述多個金屬介電單元控制電磁信號，以有效地提供射頻（RF）開關。

8.一種天線電路，包括：

可編程頻率選擇表面；

高阻抗表面，具有與所述可編程頻率選擇表面大致平行并且與所述可編程頻率選擇表面相距一定距離的表面；以及

天線源，輻射電磁信號，其中，所述電磁信號從所述高阻抗表面反射并且輻射通過所述可編程頻率選擇表面，其中，所述可編程頻率選擇表面的電磁特性被調諧用于所述天線電路的期望的性能。

9.一種天線電路，包括：

基板；

天線，在所述基板上，其中，所述天線位于所述基板的具有高介電常數的區域中；以及

投影人工磁鏡（PAMM），在所述基板的表面上方一定距離處產生人工磁導體（AMC），以促進天線的輻射模式。

10.根據權利要求9所述的天線電路，其中，所述PAMM進一步包括：

多個人工磁鏡（AMM）單元，其中，所述多個AMM單元中的一個AMM單元包括：

導電元件，形成集總的電阻器-電感器-電容器（RLC）電路；以及

阻抗元件，耦接至所述導電元件，其中，所述阻抗元件的阻抗和所述RLC電路的阻抗確定有助于所述AMC的給定頻率范圍內的AMM單元的電磁性能。