[發(fā)明專利]陣列基板及其制作方法、顯示面板

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310095188.8
• 申請日: 2013-03-22
• 公開（公告）號: CN103197480A
• 公開（公告）日: 2013-07-10
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 石領(lǐng);史世明
• 申請（專利權(quán)）人: 京東方科技集團(tuán)股份有限公司
• 主分類號: G02F1/1362
• 分類號: G02F1/1362;G02F1/1368;G02F1/1343;H01L27/12;H01L21/77
• 代理公司: 北京中博世達(dá)專利商標(biāo)代理有限公司 11274
• 代理人: 申健

1.一種陣列基板，其特征在于，包括：

基板；

設(shè)置于所述基板上的多個第一像素組和多個第二像素組，所述第一像素組和所述第二像素組互相間隔設(shè)置并構(gòu)成像素陣列；

其中，每個所述第一像素組均包括兩個第一像素單元，各所述第一像素單元包括與公共電極連接的第一像素電極以及與所述第一像素單元的驅(qū)動薄膜晶體管的漏極連接的第二像素電極，每個所述第二像素組均包括兩個第二像素單元，各所述第二像素單元包括與所述第二像素單元的驅(qū)動薄膜晶體管的漏極連接的第三像素電極以及與所述公共電極連接的第四像素電極。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述第一像素單元中，所述第二像素電極形成于所述第一像素電極的上方。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述第二像素單元中，所述第四像素電極形成于所述第三像素電極的上方。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的陣列基板，其特征在于，所述第二像素單元中，所述第三像素電極通過第五像素電極與所述第二像素單元的驅(qū)動薄膜晶體管的漏極連接，所述第五像素電極與所述第四像素電極同層設(shè)置。

5.根據(jù)權(quán)利要求1-4中任意一項(xiàng)所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板還包括：

交叉設(shè)置于所述基板上的2n條柵線以及n條數(shù)據(jù)線，其中，n為正整數(shù)。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的陣列基板，其特征在于，每個所述第一或第二像素組由兩條柵線和一條數(shù)據(jù)線驅(qū)動。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的陣列基板，其特征在于，所述數(shù)據(jù)線分別與各所述第一像素單元的驅(qū)動薄膜晶體管的源極和各所述第二像素單元的驅(qū)動薄膜晶體管的源極連接。

8.一種顯示面板，其特征在于，包括如權(quán)利要求1-7中任意一項(xiàng)所述的陣列基板。

9.一種陣列基板的制作方法，其特征在于，包括：

在基板上設(shè)置第一像素電極以及第三像素電極；

在基板上設(shè)置第一柵極、第二柵極并在所述第一像素電極以及所述基板上設(shè)置公共電極，其中，所述第一像素電極與所述公共電極直接接觸；

至少在所述第一柵極、第二柵極、第一像素電極、第三像素電極以及公共電極上設(shè)置柵絕緣層；

在所述第一柵極上方隔著所述柵絕緣層設(shè)置第一有源層、第一源極和第一漏極，以及在所述第二柵極上方隔著所述柵絕緣層設(shè)置第二有源層、第二源極和第二漏極；

在所述第一有源層、第二有源層、第一源極、第二源極、第一漏極、第二漏極以及柵絕緣層上設(shè)置鈍化絕緣層，其中，所述第一漏極上方形成有延伸至所述第一漏極的第一過孔，所述第三像素電極上方形成有延伸至所述第三像素電極的第二過孔，所述公共電極上方形成有延伸至所述公共電極的第三過孔，所述第二漏極上方形成有延伸至所述第二漏極的第四過孔；

在所述第一漏極以及鈍化絕緣層上設(shè)置第二像素電極，其中，所述第二像素電極與所述第一漏極通過所述第一過孔直接接觸，以及在所述第二漏極、第三像素電極、公共電極以及鈍化絕緣層上設(shè)置第四像素電極和第五像素電極，其中，所述第五像素電極與第三像素電極通過所述第二過孔直接接觸，所述第四像素電極與公共電極通過所述第三過孔直接接觸，所述第五像素電極與第二漏極通過所述第四過孔直接接觸。