[發(fā)明專利]可變電阻存儲器件及其制造方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310094941.1 | 申請日： | 2013-03-22 |
| 公開（公告）號： | CN103378290A | 公開（公告）日： | 2013-10-30 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 李相昑;李宰淵;孫東熙 | 申請（專利權(quán)）人： | 愛思開海力士有限公司 |
| 主分類號： | H01L45/00 | 分類號： | H01L45/00;H01L27/24;G11C13/00 |
| 代理公司： | 北京弘權(quán)知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 俞波;石卓瓊 |
| 地址： | 韓國*** | 國省代碼： | 韓國;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 可變 電阻 存儲 器件 及其 制造 方法 | ||
1.一種可變電阻存儲器件，包括：
垂直電極，所述垂直電極從襯底垂直地伸出；
第一水平電極，所述第一水平電極沿著所述垂直電極層疊；
第二水平電極，所述第二水平電極沿著所述垂直電極層疊；以及
可變電阻層，所述可變電阻層插入在所述垂直電極與所述第一水平電極和所述第二水平電極之間，
其中，所述第一水平電極和所述第二水平電極布置在彼此交叉的方向上。
2.如權(quán)利要求1所述的可變電阻存儲器件，其中，所述第一水平電極和所述第二水平電極構(gòu)成的各個對平行布置，在所述第一水平電極和所述第二水平電極之間插入有所述垂直電極。
3.如權(quán)利要求1所述的可變電阻存儲器件，其中，所述可變電阻層包圍所述垂直電極的側(cè)表面。
4.如權(quán)利要求1所述的可變電阻存儲器件，還包括：
選擇元件，所述選擇元件插入在所述第一水平電極和所述第二水平電極與所述可變電阻層之間。
5.如權(quán)利要求1所述的可變電阻存儲器件，其中，所述可變電阻層具有因氧空位或離子遷移或者物質(zhì)相變而改變的電阻。
6.如權(quán)利要求1所述的可變電阻存儲器件，其中，所述可變電阻層具有磁性隧道結(jié)MTJ結(jié)構(gòu)，所述磁性隧道結(jié)結(jié)構(gòu)具有根據(jù)磁場或自旋轉(zhuǎn)移力矩STT而改變的電阻。
7.如權(quán)利要求1所述的可變電阻存儲器件，其中，在平行于襯底方向上截取的所述垂直電極的截面具有長方形或橢圓形的形狀。
8.如權(quán)利要求1所述的可變電阻存儲器件，其中，所述第一水平電極通過位于所述第一水平電極之間的第一層間電介質(zhì)層彼此電隔離，以及所述第二水平電極通過位于所述第二水平電極之間的第二層間電介質(zhì)層彼此電隔離。
9.如權(quán)利要求8所述的可變電阻存儲器件，其中，所述垂直電極包括與所述第一層間電介質(zhì)層和所述第一水平電極相對應(yīng)的第一垂直電極以及與所述第二層間電介質(zhì)層和所述第二水平電極相對應(yīng)的第二垂直電極。
10.如權(quán)利要求9所述的可變電阻存儲器件，其中，所述第二垂直電極的側(cè)表面相比于所述第一垂直電極的側(cè)表面?zhèn)认虻厣斐觥?/p>
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