[發(fā)明專利]用于TSV銅互連材料力學(xué)性能測(cè)試的原位拉伸樣品制備方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310093853.X
• 申請(qǐng)日: 2013-03-22
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN103196724A
• 公開(kāi)（公告）日: 2013-07-10
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 于大全;劉海燕
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 江蘇物聯(lián)網(wǎng)研究發(fā)展中心
• 主分類號(hào): G01N1/28
• 分類號(hào): G01N1/28
• 代理公司: 無(wú)錫市大為專利商標(biāo)事務(wù)所 32104
• 代理人: 曹祖良

1.用于TSV銅互連材料力學(xué)性能測(cè)試的原位拉伸樣品制備方法，其特征是：將完成TSV通孔或盲孔金屬化填充的硅圓片進(jìn)行切割，使切割后的硅片中至少有一根TSV銅柱；將硅片固定于一承載裝置的凹槽中；在承載裝置具有所述凹槽的表面涂覆光刻膠定義出光刻位置，并進(jìn)行光刻刻蝕硅片，暴露出TSV銅柱的中間部位；最后將TSV銅柱兩端的硅片固定到樣品夾持端，形成原位拉伸樣品。

2.如權(quán)利要求1所述的用于TSV銅互連材料力學(xué)性能測(cè)試的原位拉伸樣品制備方法，其特征是，所述硅圓片厚度為200-500μm。

3.如權(quán)利要求1所述的用于TSV銅互連材料力學(xué)性能測(cè)試的原位拉伸樣品制備方法，其特征是，所述TSV通孔直徑為20-50μm，高度為200-500μm。

4.如權(quán)利要求1所述的用于TSV銅互連材料力學(xué)性能測(cè)試的原位拉伸樣品制備方法，其特征是，切割后的硅片安放到承載裝置的凹槽中時(shí)，保持硅片中的TSV銅柱水平放置。

5.如權(quán)利要求1所述的用于TSV銅互連材料力學(xué)性能測(cè)試的原位拉伸樣品制備方法，其特征是，涂覆光刻膠時(shí)在硅片表面留出光刻開(kāi)口，開(kāi)口寬度為100-200μm。

6.如權(quán)利要求1所述的用于TSV銅互連材料力學(xué)性能測(cè)試的原位拉伸樣品制備方法，其特征是，所述樣品夾持端材料為銅、鋼、鎳中的一種。

7.如權(quán)利要求1所述的用于TSV銅互連材料力學(xué)性能測(cè)試的原位拉伸樣品制備方法，其特征是，所述樣品夾持端具有凹槽，TSV銅柱兩端的硅片分別固定于兩個(gè)凹槽中。

8.如權(quán)利要求1所述的用于TSV銅互連材料力學(xué)性能測(cè)試的原位拉伸樣品制備方法，其特征是，所述TSV銅柱兩端的硅片利用粘結(jié)劑實(shí)現(xiàn)與樣品夾持端的結(jié)合。

9.如權(quán)利要求1所述的用于TSV銅互連材料力學(xué)性能測(cè)試的原位拉伸樣品制備方法，其特征是，所述樣品夾持端為兩個(gè)正方體或長(zhǎng)方體，在TSV銅柱軸向方向厚度為300-1000μm，與TSV銅柱垂直截面的邊長(zhǎng)范圍為1000-5000μm。