[發(fā)明專利]半導(dǎo)體發(fā)光芯片及其制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310093759.4
• 申請(qǐng)日: 2013-03-21
• 公開（公告）號(hào): CN103227256A
• 公開（公告）日: 2013-07-31
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李剛
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 李剛
• 主分類號(hào): H01L33/14
• 分類號(hào): H01L33/14;H01L33/38;H01L33/00
• 代理公司: 深圳市瑞方達(dá)知識(shí)產(chǎn)權(quán)事務(wù)所(普通合伙) 44314
• 代理人: 張約宗;張秋紅

1.一種半導(dǎo)體發(fā)光芯片，包括具有第一表面和第二表面的襯底，在所述襯底第一表面有—至少包括n型導(dǎo)電層、發(fā)光層和p型導(dǎo)電層的半導(dǎo)體疊層；其特征在于，在所述半導(dǎo)體疊層表面至少有一裸露出部分n型導(dǎo)電層的n型電極臺(tái)階、n型電極凹槽和/或n型電極凹孔，所述半導(dǎo)體發(fā)光芯片的所有裸露的、具有導(dǎo)電性的表面和側(cè)面被至少一絕緣層所包裹；?

所述絕緣層表面設(shè)有裸露的至少一p型電極和至少一第一n型電極；所述p型電極貫穿所述絕緣層與所述p型導(dǎo)電層導(dǎo)電連接；所述絕緣層內(nèi)設(shè)有n型電極互連層，所述第一n型電極貫穿位于所述n型電極互連層上方的所述絕緣層與所述n型電極互連層導(dǎo)電連接，所述n型電極互連層通過至少一貫穿位于所述n型電極互連層下方的所述絕緣層的第二n型電極與所述n型導(dǎo)電層導(dǎo)電連接，所述第二n型電極設(shè)在所述n型電極臺(tái)階、n型電極凹槽和/或n型電極凹孔內(nèi)，并與所述n型導(dǎo)電層導(dǎo)電連接，與所述發(fā)光層和p型導(dǎo)電層絕緣；所述p型電極與所述第一n型電極、n型電極互連層和第二n型電極間彼此絕緣。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光芯片，其特征在于，所述半導(dǎo)體發(fā)光芯片還包括p型電極互連層，所述?p型電極互連層設(shè)置于所述絕緣層中；

所述p型電極包括至少一第一p型電極和至少一第二p型電極，所述第一p型電極貫穿位于所述p型電極互連層上方的所述絕緣層與所述p型電極互連層導(dǎo)電連接，所述p型電極互連層通過貫穿位于所述p型電極互連層下方的所述絕緣層的所述第二p型電極與所述p型導(dǎo)電層導(dǎo)電連接；所述p型電極與所述發(fā)光層和n型導(dǎo)電層絕緣。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體發(fā)光芯片，其特征在于，所述p型導(dǎo)電層表面與所述絕緣層之間設(shè)有p型電流擴(kuò)展層，所述p型電流擴(kuò)展層與所述p型電極導(dǎo)電連接；所述p型電流擴(kuò)展層包括p型金屬擴(kuò)散阻擋層、p型導(dǎo)電擴(kuò)展層、p型反射層、p型接觸層中的一種或多種；和/或，

所述n型電極臺(tái)階的表面、n型電極凹槽的底面和/或n型電極凹孔的底面與所述絕緣層之間設(shè)有n型電流擴(kuò)展層，所述n型電流擴(kuò)展層與所述第二n型電極導(dǎo)電連接；所述n型電流擴(kuò)展層包括n型金屬擴(kuò)散阻擋層、n型導(dǎo)電擴(kuò)展層、n型反射層、n型接觸層中的一種或多種。

4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體發(fā)光芯片，其特征在于，所述絕緣層的部分或全部含有一光反射層；所述光反射層沿著所述半導(dǎo)體疊層表面和側(cè)面分布位于所述絕緣層內(nèi)或位于所述絕緣層的裸露表面；所述光反射層與所述半導(dǎo)體疊層、p型電極、第一n型電極、第二n型電極及n型電極互連層間彼此絕緣。

5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體發(fā)光芯片，其特征在于，裸露在所述絕緣層表面的所述p型電極的位置處設(shè)有一與所述p型電極導(dǎo)電連接并緊貼在所述絕緣層表面的p型焊墊；和/或

裸露在所述絕緣層表面的所述第一n型電極的位置處設(shè)有一與所述第一n型電極導(dǎo)電連接并緊貼在所述絕緣層表面的n型焊墊。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體發(fā)光芯片，其特征在于，所述p型焊墊與所述n型焊墊之間設(shè)有至少—緊貼在所述絕緣層表面的阻焊層，所述阻焊層與所述n型焊墊和p型焊墊之間彼此絕緣。

7.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體發(fā)光芯片，其特征在于，在所述半導(dǎo)體發(fā)光芯片四周有一內(nèi)凹；所述內(nèi)凹位于所述半導(dǎo)體發(fā)光芯片的所述半導(dǎo)體疊層一側(cè)，所述內(nèi)凹的底面位于所述襯底第一表面或所述襯底內(nèi)。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體發(fā)光芯片，其特征在于，所述內(nèi)凹處裸露的襯底表面或襯底表面和側(cè)面的部分或全部被一光反射層所覆蓋，或被至少一絕緣層所包裹；所述絕緣層的部分或全部含有一光反射層；所述光反射層沿著所述內(nèi)凹處裸露的襯底表面或襯底表面和側(cè)面分布位于所述絕緣層內(nèi)或位于所述絕緣層的裸露表面；

所述光反射層與所述半導(dǎo)體疊層、p型電極、第一n型電極、第二n型電極及n型電極互連層間彼此絕緣。