[發(fā)明專利]一種在GaP表面制備錐狀結構的方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310093588.5
• 申請日: 2013-03-22
• 公開（公告）號: CN103199161A
• 公開（公告）日: 2013-07-10
• 發(fā)明（設計）人: 楊海方;劉哲;顧長志;尹紅星;夏曉翔
• 申請（專利權）人: 中國科學院物理研究所
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00;H01L33/22
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 梁愛榮

1.一種在GaP表面制備錐狀結構的方法，其特征在于，所述GaP錐狀結構的制備步驟如下：

步驟S1：在樣品表面上涂覆光刻膠，利用微、納圖形制備技術在光刻膠上制備孔狀光刻膠陣列圖形，得到具有光刻膠圖形的樣品；

步驟S2：將具有光刻膠圖形的樣品放入金屬鍍膜設備中，生長金屬層做為刻蝕掩模，得到具有金屬層的樣品；

步驟S3：將具有金屬層的樣品，放入去膠溶液中進行溶脫處理，得到含有金屬柱狀陣列的樣品；

步驟S4：利用干法刻蝕設備對含有金屬柱狀陣列的樣品進行刻蝕，控制刻蝕參數(shù)，在GaP表面得到具有錐狀結構的樣品；

步驟S5：將具有錐狀結構的樣品放入金屬腐蝕液中去除殘留的金屬層，從而在GaP表面得到錐狀結構。

2.如權利要求1所述在GaP表面制備錐狀結構的方法，其特征在于，所述微、納米圖形制備技術是紫外曝光、電子束曝光、激光干涉曝光、激光直寫、納米壓印這些能制備孔狀光刻膠陣列結構技術中的一種。

3.如權利要求1所述在GaP表面制備錐狀結構的方法，其特征在于，為了增加錐狀結構的深寬比，在GaP表面先生長一層犧牲掩模，將金屬圖形通過刻蝕轉(zhuǎn)移到犧牲掩模上，再進行GaP的刻蝕，最終通過濕法腐蝕去除犧牲掩模層，所述犧牲掩模為氮化硅犧牲掩模、氧化硅犧牲掩模。

4.如權利要求1所述在GaP表面制備錐狀結構的方法，其特征在于，所述的金屬鍍膜設備是熱蒸發(fā)設備、電子束蒸發(fā)蒸發(fā)、濺射設備中的一種。

5.如權利要求1所述在GaP表面制備錐狀結構的方法，其特征在于，所述金屬層是具有抗刻蝕能力，又能夠通過濕法腐蝕工藝去除的鉻、鋁、金、鈦、鎳中的一種。

6.如權利要求1所述在GaP表面制備錐狀結構的方法，其特征在于，所述去膠溶液包括丙酮及去膠液。

7.如權利要求1所述在GaP表面制備錐狀結構的方法，其特征在于，所述干法刻蝕設備為感應耦合等離子體刻蝕設備。

8.如權利要求1所述在GaP表面制備錐狀結構的方法，其特征在于，對于利用所述金屬腐蝕液去除殘留金屬層的過程，若刻蝕沒有將金屬掩膜完全去掉，需要濕法腐蝕去掉金屬掩膜；若過度刻蝕已經(jīng)將金屬掩膜去掉，則不需要濕法腐蝕過程。

9.如權利要求1所述在GaP表面制備錐狀結構的方法，其特征在于，所述金屬腐蝕液是硝酸鈰銨溶液、NaOH溶液、碘化鉀/碘、氫氟酸溶液中的一種。