[發明專利]提高熱電堆紅外探測器響應率的晶圓級封裝結構

有效

• 申請號: 201310093555.0
• 申請日: 2013-03-21
• 公開（公告）號: CN103148947A
• 公開（公告）日: 2013-06-12
• 發明（設計）人: 孟如男;王瑋冰
• 申請（專利權）人: 江蘇物聯網研究發展中心
• 主分類號: G01J5/10
• 分類號: G01J5/10;B81B7/00
• 代理公司: 無錫市大為專利商標事務所 32104
• 代理人: 曹祖良

1.一種提高熱電堆紅外探測器響應率的晶圓級封裝結構，包括紅外探測器（1）和承載紅外探測器（1）的承載基板（12）；所述紅外探測器（1）包括硅基底（2），硅基底（2）正面的懸浮膜（3），在硅基底（2）中形成的空腔結構（4），位于懸浮膜（3）中的熱電堆結構（9），熱電堆結構（9）的一端為熱端（7），另一端為冷端（8），在懸浮膜（3）上引出引線電極（10），在引線電極（10）上設置焊料凸點（11）；

所述紅外探測器（1）正面面向承載基板（12），倒扣疊加在承載基板（12）上，所述焊料凸點（11）與承載基板（12）上對應位置處的對外導電接點（13）連接；

其特征在于：在所述紅外探測器（1）的硅基底（2）的背面生長紅外增透膜（6），和/或在所述空腔結構（4）正下方懸浮膜（3）正對的承載基板（12）表面設置紅外反射膜（14）。

2.如權利要求1所述的提高熱電堆紅外探測器響應率的晶圓級封裝結構，其特征在于：所述紅外增透膜（6）為圖形化的紅外增透膜，覆蓋在除所述冷端（8）上方的硅基底（2）背面對應區域以外的硅基底（2）背面。

3.如權利要求1或2所述的提高熱電堆紅外探測器響應率的晶圓級封裝結構，其特征在于：所述紅外反射膜（14）為單層金屬膜、單層金屬和保護膜構成的復合膜或在金屬膜上涂覆偶數層介質膜形成的金屬電解質膜系反射膜。