[發明專利]一種Ga空位可調的GaN納米結構的制備方法

無效

• 申請號: 201310093231.7
• 申請日: 2013-03-22
• 公開（公告）號: CN103173738A
• 公開（公告）日: 2013-06-26
• 發明（設計）人: 吳榮;任會會;簡基康
• 申請（專利權）人: 新疆大學
• 主分類號: C23C16/34
• 分類號: C23C16/34;C23C16/44;C30B29/40;C30B25/00
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1.一種Ga空位可調的GaN納米結構的制備方法：本方法采用化學氣相沉積法，在陶瓷舟中生出Ga空位可調的GaN納米結構。所用系統由硅鉬棒加熱的水平管式爐、氣路系統和真空系統組成。高純Ga₂O₃粉末和NH₃氣分別作為Ga源和N源。將高純Ga₂O₃粉末置于陶瓷舟中，并將陶瓷舟置于中央加熱區處，密封水平管式爐。使用機械泵和擴散泵對系統抽真空，使爐內真空度抽至1×10^-2?Pa以下，除去系統中殘留的水氣和氧氣。通入流量為100?sccm的氬氣，并對管式爐進行加熱。當管式爐加熱區的溫度達到980℃時，通入流量為100-200?sccm的氨氣并保持3h。然后，停止加熱，自然降溫至600℃，再次打開加熱裝置，并升溫至980℃保持2h。最后，停止加熱，關掉氨氣，并保持氬氣流量不變。自然冷卻到室溫，關掉氬氣，取出陶瓷舟，得到樣品。

2.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述的源為高純Ga₂O₃粉末和NH₃氣。

3.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述溫度為980℃。

4.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述氬氣的通入流量為100?sccm。

5.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述氨氣的通入流量為100-200?sccm。

6.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述首次保溫時間為3?h。

7.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述停止加熱，自然降溫至600℃。

8.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述打開加熱裝置，并升溫至980℃保持時間為2?h。