[發(fā)明專利]四方扁平型高功率芯片封裝結(jié)構(gòu)

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310093203.5
• 申請(qǐng)日: 2013-03-22
• 公開（公告）號(hào): CN103208474A
• 公開（公告）日: 2013-07-17
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 胡乃仁;楊小平;李國發(fā);鐘利強(qiáng)
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 蘇州固锝電子股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L23/488
• 分類號(hào): H01L23/488;H01L23/49;H01L23/34
• 代理公司: 蘇州創(chuàng)元專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 32103
• 代理人: 馬明渡

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及整流芯片封裝結(jié)構(gòu)技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種四方扁平型高功率芯片封裝結(jié)構(gòu)。

背景技術(shù)

筆記本電腦、手機(jī)、迷你CD、掌上電腦、CPU、數(shù)碼照相機(jī)等消費(fèi)類電子產(chǎn)品越來越向小型化方向發(fā)展。隨著產(chǎn)品的做小做薄，工IC中的數(shù)百萬個(gè)晶體管所產(chǎn)生的熱量如何散發(fā)出去就變?yōu)橐粋€(gè)不得不考慮的問題。現(xiàn)有技術(shù)中，雖然可以通過提升工IC制程能力來降低電壓等方式來減小發(fā)熱量，但是仍然不能避免發(fā)熱密度增加的趨勢(shì)。散熱問題不解決，會(huì)使得工器件因過熱而影響到產(chǎn)品的可靠性，嚴(yán)重地會(huì)縮短產(chǎn)品壽命甚至造成產(chǎn)品損毀。

如附圖1所示是一種現(xiàn)有技術(shù)DFN封裝結(jié)構(gòu)的剖面示意圖，包括芯片900,散熱片920、引線框架930、多個(gè)導(dǎo)線940，以及包裹上述結(jié)構(gòu)的絕緣膠950。芯片900粘附在散熱片920上，引線框架930具有多個(gè)相互絕緣的管腳，芯片900表面的焊盤通過導(dǎo)線940連接在引線框架93。相應(yīng)的管腳上。絕緣膠950將上述結(jié)構(gòu)全部包裹起來，以將其同外界隔離，僅將引線框架930的各個(gè)管腳和散熱片920與芯片900相對(duì)的表面暴露在空氣中。引線框架930暴露出來的管腳用于實(shí)現(xiàn)被封裝的芯片900同外界的電學(xué)連接，而散熱片920暴露出來的作用在于將芯片900工作時(shí)產(chǎn)生的熱量通過暴露的表面散發(fā)到環(huán)境中去；其同樣為引腳和散熱片分離，且引腳外露，仍然存在體積大而不利于散熱的技術(shù)問題。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明目的是提供一種四方扁平型高功率芯片封裝結(jié)構(gòu)，此高功率芯片封裝結(jié)構(gòu)有利于進(jìn)一步縮小器件的體積，同時(shí)減少封裝體中部件的數(shù)目；且減少歐姆接觸電阻，提高了電性能指標(biāo)，同時(shí)也減少熱量的產(chǎn)生，熱阻相比現(xiàn)有技術(shù)降低80%。

為達(dá)到上述目的，本發(fā)明采用的技術(shù)方案是：一種四方扁平型高功率芯片封裝結(jié)構(gòu)，包括肖特基整流芯片、包覆于肖特基整流芯片四周的環(huán)氧樹脂層、導(dǎo)電基盤和導(dǎo)電焊盤，所述導(dǎo)電基盤由散熱區(qū)和基盤引腳區(qū)組成，此基盤引腳區(qū)由若干個(gè)相間排列的負(fù)極引腳組成，此負(fù)極引腳一端與散熱區(qū)端面電連接，所述散熱區(qū)位于肖特基整流芯片正下方且與肖特基整流芯片下表面之間通過軟焊料層電連接；所述導(dǎo)電焊盤位于肖特基整流芯片另一側(cè)，導(dǎo)電焊盤包括焊接區(qū)和至少兩個(gè)引腳，焊接區(qū)與引腳的連接處具有一折彎部，從而使得焊接區(qū)高于引腳；一鋁導(dǎo)體帶跨接于所述肖特基整流芯片的正極與導(dǎo)電焊盤的焊接區(qū)之間；所述鋁導(dǎo)體帶與肖特基整流芯片的焊接條至少為2條且相間排列；所述軟焊料層由以下質(zhì)量百分含量的組分組成：鉛92.5%、錫5%、銀2.5%；所述鋁導(dǎo)體帶寬厚比為1：12~14。

上述技術(shù)方案中進(jìn)一步改進(jìn)的方案如下：

1、上述方案中，所述導(dǎo)電焊盤各自的焊接區(qū)與肖特基整流芯片位于同一水平面。

2、上述方案中，所述負(fù)極引腳的數(shù)目為四根。

3、上述方案中，所述導(dǎo)電焊盤的引腳為兩個(gè)。

4、上述方案中，所述鋁導(dǎo)體帶與肖特基整流芯片的焊接條數(shù)

目為2條。

由于上述技術(shù)方案運(yùn)用，本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比具有下列優(yōu)點(diǎn)和效果：?

1、本發(fā)明高功率芯片封裝結(jié)構(gòu)，其同時(shí)兼?zhèn)淞爽F(xiàn)有技術(shù)中導(dǎo)電焊盤、散熱片和基島三個(gè)部件功能，既有利于進(jìn)一步縮小器件的體積，也減少器件中部件的數(shù)目，同時(shí)由于散熱區(qū)和基盤引腳區(qū)為一個(gè)整體，提高了電性能的穩(wěn)定性。

2、本發(fā)明高功率芯片封裝結(jié)構(gòu)，兼?zhèn)淞爽F(xiàn)有技術(shù)中導(dǎo)電焊盤、散熱片和基島三個(gè)部件功能，散熱區(qū)位于肖特基整流芯片正下方且與肖特基整流芯片負(fù)極之間通過軟焊料層電連接且所述軟焊料層由以下特定質(zhì)量百分含量的組分組成：鉛92.5%、錫5%、銀2.5%，從而進(jìn)一步提高了導(dǎo)電基盤的散熱性能。

3、本發(fā)明高功率芯片封裝結(jié)構(gòu)，其正極與導(dǎo)電焊盤的焊接區(qū)之間跨接有鋁導(dǎo)體帶，且鋁導(dǎo)體帶與肖特基整流芯片的正極的焊接條至少為2條且相間排列，這種結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)從而有利于減少歐姆接觸電阻，提高了電性能指標(biāo)，同時(shí)也減少熱量的產(chǎn)生。

4、本發(fā)明高功率芯片封裝結(jié)構(gòu)中焊接區(qū)與引腳區(qū)的連接處具有一折彎部，從而使得焊接區(qū)高于引腳區(qū)，并保證了導(dǎo)電焊盤的焊接區(qū)與肖特基整流芯片的正極在同一水平面，從而有效避免了由于連接肖特基整流芯片正極的鋁導(dǎo)體帶在使用中容易斷的技術(shù)缺陷，從而延長了產(chǎn)品的使用壽命并提高了可靠性。

5、本發(fā)明高功率芯片封裝結(jié)構(gòu)中基盤引腳區(qū)由若干個(gè)相間排列的負(fù)極引腳組成，導(dǎo)電焊盤的引腳區(qū)由至少四根負(fù)極引腳組成，充分考慮到肖特基整流芯片正極和負(fù)極電流大的特點(diǎn)，從而有利于減少熱量的產(chǎn)生，并進(jìn)一步提高了電性能指標(biāo)。

附圖說明