[發(fā)明專利]液晶顯示裝置無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310093044.9 | 申請日: | 2013-03-21 |
| 公開(公告)號: | CN104062815A | 公開(公告)日: | 2014-09-24 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 游家華;林松君;柯健專;張憲政;劉軒辰 | 申請(專利權(quán))人: | 瀚宇彩晶股份有限公司 |
| 主分類號: | G02F1/1343 | 分類號: | G02F1/1343;G02F1/1339;G02F1/1368 |
| 代理公司: | 深圳新創(chuàng)友知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44223 | 代理人: | 江耀純 |
| 地址: | 中國臺*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 液晶 顯示裝置 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種液晶顯示裝置(liquid crystal display,LCD),特別是涉及一種使用HUA(HannStar Ultra-high Aperture,瀚宇彩晶超高開口率)技術(shù),并且具有多個凸起物設(shè)置在液晶層一側(cè)的液晶顯示裝置。
背景技術(shù)
液晶顯示裝置具有外型輕薄、耗電量少以及無輻射污染等特性,已被廣泛地應(yīng)用在筆記本計算器(notebook)、個人數(shù)碼助理(personal digital assistant,PDA)等攜帶式信息產(chǎn)品上,并且已逐漸取代傳統(tǒng)桌上型計算機(jī)的陰極射線管監(jiān)視器。
在液晶顯示裝置中,液晶分子扮演著光閥的角色,在液晶顯示器的每一像素中,在即時顯示時間內(nèi),控制光的穿透及光的阻絕。從液晶分子的控制機(jī)制的角度來看,液晶顯示裝置可分為垂直排列(vertical alignment,VA)和平面切換(plane switching)兩種類型。
一般來說,VA型液晶顯示裝置具有非常快的液晶響應(yīng)時間,特別適合用于顯示有快速移動的動態(tài)影像。在相關(guān)技術(shù)持續(xù)發(fā)展下,高分辨率顯示屏幕的需求也急速增加,目前除了WVGA(480×800)產(chǎn)品外,qHD(540×960)與HD(720×1280)的產(chǎn)品與技術(shù)也將相繼開發(fā)出。便攜式產(chǎn)品除了搭配高分辨率外,廣視角的需求也逐步提高,因此遇到高密度像素(即高PPI,Pixel Per Inch,即每一英寸中具有高像素數(shù)目)時,便會產(chǎn)生像素開口率(pixel aperture rate,或簡稱Pixel AR)下降的問題。因此,如何兼顧液晶顯示裝置中的高密度像素設(shè)計與高開口率,實(shí)為業(yè)界需要努力的目標(biāo)。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是公知液晶顯示裝置中因?yàn)楦呙芏认袼卦O(shè)計而造成像素開口率降低的缺點(diǎn),本發(fā)明液晶顯示裝置因?yàn)榫哂蠬UA與凸起點(diǎn)的設(shè)計,因此能提供高像素開口率的多區(qū)域垂直排列(multi-domain vertical alignment,MVA)模式的顯示效果。
為解決上述技術(shù)問題,本發(fā)明提供了一種液晶顯示裝置,包括第一基板與第二基板,其中第一基板設(shè)置在第二基板下方。液晶顯示裝置還包括至少一薄膜晶體管設(shè)置在第一基板的上表面、共用電極設(shè)置在薄膜晶體管上、第一絕緣層設(shè)置在共用電極上、像素電極設(shè)置在第二絕緣層上、液晶層設(shè)置在像素電極上、以及多個凸起物設(shè)置在第二基板的下表面,其中薄膜晶體管包括柵極、源極以及漏極。
為解決上述技術(shù)問題,本發(fā)明還提供了一種液晶顯示裝置,包括第一基板、第二基板以及液晶層,其中第一基板設(shè)置在第二基板下方,液晶層設(shè)置在第一基板與第二基板之間。液晶顯示裝置還包括薄膜晶體管設(shè)置在第一基板的上表面上、共用電極設(shè)置在薄膜晶體管上、像素電極設(shè)置在共用電極上、以及多個凸起物設(shè)置在液晶層與第二基板之間,其中薄膜晶體管包括一柵極、一源極以及一漏極,且像素電極包括至少一狹縫,設(shè)置在相鄰兩個凸起物的投影之間。
因?yàn)楸景l(fā)明液晶顯示裝置的共用電極設(shè)置在像素電極下方,因此共用電極可以提供屏蔽(shielding)效果,使得像素電極不會受到資料線、掃描線和薄膜晶體管等的電容偶合效應(yīng)的影響,進(jìn)而能使像素電極具有更大尺寸,用以提高開口率。再者,凸起物的設(shè)計可以使液晶分子垂直排列以提高液晶分子的響應(yīng)時間。
附圖說明
圖1所示為本發(fā)明液晶顯示裝置的第一實(shí)施例的俯視示意圖。
圖2所示為圖1中液晶顯示裝置沿著A-A切線的側(cè)面剖面示意圖。
圖3所示為本發(fā)明液晶顯示裝置的第二實(shí)施例的俯視示意圖。
圖4所示為本發(fā)明液晶顯示裝置的第三實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)側(cè)面剖面示意圖。
圖5所示為本發(fā)明液晶顯示裝置的第四實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)側(cè)面剖面示意圖。
其中,附圖標(biāo)記說明如下:
10 液晶顯示裝置
12 第一基板
12a第一基板的上表面
14 第二基板
14a第二基板的下表面
16 液晶層
18 薄膜晶體管
20 柵極
22 源極
24 漏極
26 半導(dǎo)體層
28 柵極絕緣層
30 第二絕緣層
32 共用電極
34 第一絕緣層
36 像素電極
38 開孔
40 凸起物
42 黑色矩陣層
44a、44b 彩色濾光層
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G02F 用于控制光的強(qiáng)度、顏色、相位、偏振或方向的器件或裝置,例如轉(zhuǎn)換、選通、調(diào)制或解調(diào),上述器件或裝置的光學(xué)操作是通過改變器件或裝置的介質(zhì)的光學(xué)性質(zhì)來修改的;用于上述操作的技術(shù)或工藝;變頻;非線性光學(xué);光學(xué)
G02F1-00 控制來自獨(dú)立光源的光的強(qiáng)度、顏色、相位、偏振或方向的器件或裝置,例如,轉(zhuǎn)換、選通或調(diào)制;非線性光學(xué)
G02F1-01 .對強(qiáng)度、相位、偏振或顏色的控制
G02F1-29 .用于光束的位置或方向的控制,即偏轉(zhuǎn)
G02F1-35 .非線性光學(xué)
G02F1-355 ..以所用材料為特征的
G02F1-365 ..在光波導(dǎo)結(jié)構(gòu)中的





