[發明專利]芯片裝置及形成芯片裝置的方法

有效

• 申請號: 201310092861.2
• 申請日: 2013-03-21
• 公開（公告）號: CN103367321A
• 公開（公告）日: 2013-10-23
• 發明（設計）人: 安東·普呂克
• 申請（專利權）人: 英飛凌科技股份有限公司
• 主分類號: H01L23/538
• 分類號: H01L23/538;H01L23/498;H01L21/768;H01L21/60
• 代理公司: 北京康信知識產權代理有限責任公司 11240
• 代理人: 李靜;張云肖

1.一種芯片裝置，包括：

第一芯片載體，其包括第一芯片載體頂側和第一芯片載體底側；

第二芯片載體，其包括第二芯片載體頂側和第二芯片載體底側；

第一芯片，與所述第一芯片載體頂側電連接；

第二芯片，與所述第二芯片載體頂側電連接；

電絕緣材料，被配置為至少部分地環繞所述第一芯片載體和所述第二芯片載體；

至少一個電互連器，被配置為穿過所述電絕緣材料使所述第一芯片與所述第二芯片電接觸；以及

一個或多個第一導電部分和一個或多個第二導電部分，形成在所述電絕緣材料上，

其中，所述一個或多個第一導電部分形成在所述第一芯片載體頂側和所述第二芯片載體頂側中的至少一個上并與其電接觸，并且其中，所述一個或多個第二導電部分形成在所述第一芯片載體底側和所述第二芯片載體底側中的至少一個上并與其電接觸。

2.根據權利要求1所述的芯片裝置，

其中，所述第一芯片和所述第二芯片均包括功率半導體芯片。

3.根據權利要求2所述的芯片裝置，

其中，所述功率半導體芯片包括一組功率半導體器件中的至少一個功率半導體器件，所述組包括：功率晶體管、功率MOS晶體管、功率雙極晶體管、功率場效應晶體管、功率絕緣柵雙極晶體管、晶閘管、MOS可控晶閘管、可控硅整流器、功率肖特基二極管、碳化硅二極管、氮化鎵器件。

4.根據權利要求1所述的芯片裝置，

其中，所述第一芯片通過形成在第一芯片后側上的至少一個接觸墊與所述第一芯片載體頂側電連接；并且

其中，所述第二芯片通過形成在第二芯片后側上的至少一個接觸墊與所述第二芯片載體頂側電連接。

5.根據權利要求1所述的芯片裝置，進一步包括：

第三芯片，其設置在所述第一芯片載體上并與其電絕緣，并通過至少一個其他電互連器與所述第一芯片電連接。

6.根據權利要求5所述的芯片裝置，進一步包括：

至少一個另外的其他電互連器，配置為使所述第三芯片與所述第二芯片電連接。

7.根據權利要求5所述的芯片裝置，

其中，所述第三芯片包括半導體邏輯芯片。

8.根據權利要求7所述的芯片裝置，

其中，所述半導體邏輯芯片包括一組半導體邏輯器件中的至少一個半導體邏輯器件，所述組包括：專用集成電路ASIC、驅動器、控制器、傳感器、存儲器。

9.根據權利要求5所述的芯片裝置，

其中，所述第三芯片后側設置在所述第一芯片載體上。

10.根據權利要求5所述的芯片裝置，

其中，所述第三芯片通過電絕緣介質與所述第一芯片載體電絕緣，所述電絕緣介質包含下列一組材料中的至少一種，所述組包括：粘合劑、電絕緣粘合劑、環氧樹脂、膠水、漿料、粘合箔、電絕緣有機晶圓背面涂層。

11.根據權利要求1所述的芯片裝置，

其中，所述第一芯片載體包括第一引線框載體；并且

其中，所述第二芯片載體包括第二引線框載體。

12.根據權利要求1所述的芯片裝置，

其中，所述第一芯片載體和第二芯片載體中的至少一個包含下列一組材料中的至少一種，所述一組材料包括：銅、鎳、鐵、銅合金、鎳合金、鐵合金。

13.根據權利要求1所述的芯片裝置，

其中，所述電絕緣材料進一步被配置為至少部分地環繞所述第一芯片和所述第二芯片。

14.根據權利要求1所述的芯片裝置，

其中，所述電絕緣材料進一步被配置為使所述第一芯片和所述第一芯片載體與所述第二芯片和所述第二芯片載體電絕緣。

15.根據權利要求1所述的芯片裝置，

其中，所述電絕緣材料形成在所述第一和第二芯片載體頂側以及所述第一和第二芯片載體底側上。

16.根據權利要求1所述的芯片裝置，

其中，所述至少一個電互連器被配置為使所述第一芯片通過所述第一芯片載體與所述第二芯片電接觸。