[發明專利]基于鹵化鈣作為陰極緩沖層的OLED器件及其制備方法無效
| 申請號： | 201310092728.7 | 申請日： | 2013-03-21 |
| 公開（公告）號： | CN103208589A | 公開（公告）日： | 2013-07-17 |
| 發明（設計）人： | 曲波;楊洪生;肖立新;陳志堅;龔旗煌 | 申請（專利權）人： | 北京大學 |
| 主分類號： | H01L51/50 | 分類號： | H01L51/50;H01L51/52;H01L51/54;H01L51/56 |
| 代理公司： | 北京君尚知識產權代理事務所(普通合伙) 11200 | 代理人： | 陳美章 |
| 地址： | 100871 北*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 基于 鹵化 作為 陰極 緩沖 oled 器件 及其 制備 方法 | ||
1.一種基于鹵化鈣作為陰極緩沖層的OLED器件，包括陽極、空穴傳輸層、發光層和電子傳輸層、陰極緩沖層、陰極，其中以鹵化鈣為陰極緩沖層材料。
2.如權利要求1所述的OLED器件，其特征在于，所述鹵化鈣的厚度為1-2nm。
3.如權利要求1所述的OLED器件，其特征在于，所述發光層和電子傳輸層可為一體，由兼作電子傳輸層的發光層構成；或由發光層和置于發光層之上的電子傳輸層構成。
4.如權利要求1所述的OLED器件，其特征在于，所述空穴傳輸層所用材料為N,N′-雙-（3-萘基）-N,N′-二苯基-[1,1′-二苯基]-4,4′-二胺。
5.如權利要求1所述的OLED器件，其特征在于，所述發光兼電子傳輸層、發光層和電子傳輸層的材料為8-羥基喹啉鋁。
6.如權利要求1所述的OLED器件，其特征在于，所述鹵化鈣包括CaCl2、CaBr2、CaF2及CaI2。
7.如權利要求1所述的OLED器件，其特征在于，所述陰極的材料包括鋁、鎂銀合金、鋰鋁合金、鈣鋁合金、鈣銀合金及銀。
8.權利要求1-7任一所述OLED器件的制備方法，包括以下步驟：
1）在陽極上制作空穴傳輸層；
2）在空穴傳輸層上制作發光兼電子傳輸層，或者，先制作發光層，再于發光層上制作電子傳輸層；
3）在發光兼電子傳輸層或電子傳輸層上以鹵化鈣為材料制作陰極緩沖層；
4）在陰極緩沖層上制作陰極。
9.如權利要求8所述的制備方法，其特征在于，通過真空蒸鍍或者溶液旋涂方法制作空穴傳輸層、發光兼電子傳輸層、發光層、電子傳輸層、陰極緩沖層及陰極。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態器件；專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的；具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射；專門適用于將這些輻射能轉換為電能，或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發射的，如有機發光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇
