[發明專利]硅微通道板真空填蠟結構釋放方法無效
| 申請號: | 201310092179.3 | 申請日: | 2013-03-21 |
| 公開(公告)號: | CN103165362A | 公開(公告)日: | 2013-06-19 |
| 發明(設計)人: | 梁永照;柴進;楊繼凱;王國政;端木慶鐸 | 申請(專利權)人: | 長春理工大學 |
| 主分類號: | H01J9/12 | 分類號: | H01J9/12;B81C1/00 |
| 代理公司: | 長春菁華專利商標代理事務所 22210 | 代理人: | 陶尊新 |
| 地址: | 130022 吉林*** | 國省代碼: | 吉林;22 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 通道 真空 結構 釋放 方法 | ||
1.一種硅微通道板真空填蠟結構釋放方法,在填蠟后拋光硅片背部,然后清洗并去蠟,其特征在于,所述填蠟工序是將經電化學腐蝕并清洗后的硅片與凝固狀態的石蠟一同放入容器內,再將放置有所述硅片和石蠟的容器放入真空加熱爐,抽真空后加熱至所述石蠟熔化,熔化后的石蠟布滿硅片正面,再將爐腔恢復常壓,之后降溫至室溫。
2.根據權利要求所述的硅微通道板真空填蠟結構釋放方法,其特征在于,將清洗后的硅片(1)與凝固狀態的石蠟(2)一同放入容器(3)內時,硅片(1)正面朝上。
3.根據權利要求所述的硅微通道板真空填蠟結構釋放方法,其特征在于,將爐腔(5)抽真空至真空度為0.080~0.100Pa。
4.根據權利要求所述的硅微通道板真空填蠟結構釋放方法,其特征在于,爐腔(5)加熱至50~135°C。
5.根據權利要求所述的硅微通道板真空填蠟結構釋放方法,其特征在于,打開真空干燥爐(4)通氣閥門向爐腔(5)內通入空氣,將爐腔(5)恢復常壓。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于長春理工大學,未經長春理工大學許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201310092179.3/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。





