[發明專利]液晶顯示裝置

有效

• 申請號: 201310091672.3
• 申請日: 2013-03-21
• 公開（公告）號: CN103365003A
• 公開（公告）日: 2013-10-23
• 發明（設計）人: 平塚崇人;伊東理;山本昌直;園田大介
• 申請（專利權）人: 株式會社日本顯示器東
• 主分類號: G02F1/1343
• 分類號: G02F1/1343
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 張勁松

技術領域

本發明涉及顯示裝置，特別涉及視野角特性優異且可以實現高精細畫面的IPS方式的液晶顯示裝置。

背景技術

使用于液晶顯示裝置的液晶顯示面板配置有：具有像素電極及薄膜晶體管（TFT）等的像素形成為矩陣狀的TFT基板；與TFT基板相對且在與TFT基板的像素電極對應處形成濾色片等的對向基板，在TFT基板和對向基板之間夾持有液晶。而且，通過對每個像素控制液晶分子的光的透射率，從而形成圖像。

液晶顯示裝置由于平坦且質量輕，因此，在各領域被廣泛使用。對于便攜式電話或DSC（Digital?Still?Camera）等，廣泛使用小型的液晶顯示裝置。液晶顯示裝置的視野角特性存在問題。視野角特性為在從正面觀察畫面和從斜方向觀察畫面時，存在亮度變化或色度變化的現象。對于視野角特性，通過水平方向的電場使液晶分子動作的IPS（In?Plane?Switching）方式具有優異的特性。

IPS方式也存在多種，例如，專利文獻1記載了如下的結構：在圖4中，在決定TFT基板和對向基板的空間的柱狀隔墊的壁的部分形成電極，向其與形成于TFT基板的電極之間施加電壓，高效地產生橫電場。

專利文獻1：（日本）特開平6－214244號公報

中小型液晶顯示裝置的高端產品使用具有WVGA以上分辨率（800×480）的精細度的高精細顯示裝置。在這種高精細顯示中，面板的透射率存在問題。另外，也提出了更高精細的畫面的要求，在這種畫面中，面板透射率更存在問題。另外，隨著變為高精細，向像素的電極施加的電壓對相鄰的像素存在影響，產生像素間的污染，使畫質變差。

因此，為了進一步與高精細畫面對應，正在研發在像素上形成壁，在該壁形成像素電極或公共電極的、所謂的壁電極IPS。壁電極IPS可以提高顯示模式的效率。在此，顯示模式的效率提高是指橫方向的電力線的比例增大，從而可以提高IPS方式的效率；由于形成壁狀的電極，因此，可以在像素整體產生電場。因此，可以減小對像素電極施加的電壓等。

壁電極IPS與現有IPS方式相比，可以減小對液晶層施加的電壓強度，但是，由于液晶層的電場強度弱，因此，當在像素內產生逆扭轉方向的電場時，順扭轉和逆扭轉的液晶對抗，產生像素內的液晶不動作的區域，所謂的疇（domain）。因此，產生像素內的透射率分布不均勻，透射率大幅降低的問題。

發明內容

本發明的課題在于提供一種液晶顯示裝置，其在壁電極IPS中，防止像素內的疇的發生，防止像素的透射率的減少。

本發明克服上述問題，主要的方法如下。

（1）一種液晶顯示裝置，具有如下的像素結構：沿平面為長方形的像素的長邊形成大壁，在所述像素的中央形成沿與所述大壁相同的方向延伸的小壁，在所述大壁的壁面形成壁電極，在所述小壁與大壁之間形成平面電極，所述壁電極和所述平面電極構成像素電極，在所述小壁的表面形成公共電極，其特征在于，所述大壁在像素端部具有厚度增大的部分，所述壁電極具有向所述像素的中央方向彎曲的結構。

（2）一種液晶顯示裝置，具有如下的像素結構：沿平面為長方形的像素的長邊形成大壁，在所述像素的中央形成沿與所述大壁相同的方向延伸的小壁，在所述大壁的壁面形成壁電極，在所述小壁與大壁之間形成平面電極，所述壁電極和所述平面電極構成像素電極，在所述小壁的表面形成公共電極，其特征在于，所述大壁在像素端部具有厚度增大的部分，所述壁電極具有向所述像素的中央方向彎曲的結構，所述小壁在所述像素端部沿遠離彎曲的所述壁電極的方向彎曲。

（3）一種液晶顯示裝置，具有如下的像素結構：沿平面為長方形的像素的長邊形成大壁，在所述像素的中央形成沿與所述大壁相同的方向延伸的小壁，在所述大壁的壁面形成壁電極，在所述小壁與大壁之間形成平面電極，所述壁電極和所述平面電極構成像素電極，在所述小壁的表面形成公共電極，其特征在于，所述大壁在像素端部具有厚度增大的部分，所述壁電極具有向所述像素的中央方向彎曲的結構，所述小壁形成為比所述大壁長，所述小壁比所述大壁長的部分沿遠離彎曲的所述壁電極的方向彎曲。

根據本發明，在具有所謂壁電極的IPS方式的液晶顯示裝置中，可以防止像素的疇的發生，因此，能實現高精細畫面且透射率高、高亮度的液晶顯示裝置。

附圖說明

圖1是實施例1的像素的平面圖；

圖2是圖1中A－A’的剖面圖；

圖3是圖1中B－B’的剖面圖；

圖4（a）、（b）是表示將本發明的作用和現有例進行比較的平面圖；

圖5是表示實施例1的壁電極的彎曲量和透射率關系的圖；