[發(fā)明專利]一種電磁驅(qū)動(dòng)器的薄膜短路環(huán)有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201310091400.3 | 申請(qǐng)日: | 2013-03-21 |
| 公開(公告)號(hào): | CN103200489B | 公開(公告)日: | 2016-11-02 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 張百良 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 張百良 |
| 主分類號(hào): | H04R1/20 | 分類號(hào): | H04R1/20;H04R1/28 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 510630 廣東省廣州*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 電磁 驅(qū)動(dòng)器 薄膜 短路 | ||
1.一種新型的電磁驅(qū)動(dòng)器的薄膜短路環(huán),電磁驅(qū)動(dòng)器由一個(gè)形成環(huán)狀磁間隙的磁路,和一個(gè)位于磁間隙中的音圈組成,當(dāng)輸入音頻電流時(shí)音圈產(chǎn)生電磁力,并上下運(yùn)動(dòng),可以制作揚(yáng)聲器、耳機(jī)或直線電機(jī)等,磁路的上極板靠近磁間隙的邊緣部分處于強(qiáng)磁化狀態(tài),其特征在于,薄膜短路環(huán)由高導(dǎo)電金屬制成,位于上極板的表面,且與磁間隙分別位于上極板的強(qiáng)磁化邊緣部分的兩側(cè),靠近上極板的強(qiáng)磁化邊緣部分設(shè)置。
2.一種新型的電磁驅(qū)動(dòng)器的薄膜短路環(huán),電磁驅(qū)動(dòng)器由一個(gè)形成環(huán)狀磁間隙的內(nèi)磁式磁路,和一個(gè)位于磁間隙中的音圈組成,當(dāng)輸入音頻電流時(shí)音圈產(chǎn)生電磁力,并上下運(yùn)動(dòng),可以用來制作揚(yáng)聲器、耳機(jī)或直線電機(jī)等,導(dǎo)磁碗側(cè)壁上部處于強(qiáng)磁化狀態(tài),其特征在于,薄膜短路環(huán)是一個(gè)高導(dǎo)電金屬薄膜制成的薄壁圓筒,緊貼在導(dǎo)磁碗強(qiáng)磁化側(cè)壁部分的外側(cè)面設(shè)置,且與磁間隙分別位于導(dǎo)磁碗的強(qiáng)磁化側(cè)壁部分的兩側(cè)。
3.如權(quán)利要求1所述新型薄膜式短路環(huán)其特征還在于,短路環(huán)的厚度優(yōu)選為不大于85μm。
4.如權(quán)利要求1所述新型薄膜式短路環(huán)其特征還在于,短路環(huán)的厚度進(jìn)一步優(yōu)選為不大于50μm。
5.如權(quán)利要求1所述新型薄膜式短路環(huán)其特征還在于,短路環(huán)對(duì)制成的揚(yáng)聲器、耳機(jī)等產(chǎn)品工作頻段內(nèi)的阻抗的影響小于5%。
6.如權(quán)利要求1所述新型薄膜式短路環(huán)其特征還在于,短路環(huán)對(duì)制成揚(yáng)聲器、耳機(jī)等產(chǎn)品工作頻段內(nèi)的阻抗的影響不大于2%。
7.如權(quán)利要求1所述新型薄膜式短路環(huán)其特征還在于,薄膜短路環(huán)貼在高音揚(yáng)聲器支架的下表面上,薄膜短路環(huán)與揚(yáng)聲器的支架一體化。
8.如權(quán)利要求1所述新型薄膜短路環(huán)其特征還在于,用于高音揚(yáng)聲器中,高音揚(yáng)聲器的支架用印刷電路板制成,在支架表面或內(nèi)部設(shè)置有銅箔環(huán)帶,構(gòu)成所述薄膜短路環(huán),形成一體化的短路環(huán)與支架。
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