[發明專利]發光二極管封裝結構

有效

• 申請號: 201310091214.X
• 申請日: 2013-03-21
• 公開（公告）號: CN104064663B
• 公開（公告）日: 2017-06-20
• 發明（設計）人: 林厚德;陳濱全;陳隆欣
• 申請（專利權）人: 展晶科技（深圳）有限公司;榮創能源科技股份有限公司
• 主分類號: H01L33/62
• 分類號: H01L33/62;H01L33/48
• 代理公司: 深圳市賽恩倍吉知識產權代理有限公司44334
• 代理人: 薛曉偉

技術領域

本發明涉及一種半導體，尤其涉及一種發光二極管封裝結構。

背景技術

發光二極管憑借其高光效、低能耗、無污染等優點，已被應用于越來越多的場合之中，大有取代傳統光源的趨勢。

在應用到具體領域中之前，發光二極管晶粒還需要進行封裝，以保護發光二極管晶粒不受擠壓或者氧化，從而使發光二極管封裝結構獲得較高的發光效率及較長的使用壽命。

硅樹脂模塑化合物（Silicon Molding Compound，SMC）以及環氧模塑料（Epoxy Molding Compound, EMC）常作為封裝材料應用于發光二極管封裝結構中。特別地，該硅樹脂模塑化合物較環氧模塑料更耐高溫，故在發光二極管封裝結構中得到廣泛應用。但由于該硅樹脂模塑化合物或環氧模塑料與金屬電極的密合度差，二者接合處會有空氣或水氣的滲入，容易導致內部電極氧化而使得發光二極管封裝元件的電性接觸不良。

發明內容

有鑒于此，有必要提供一種電極不易發生氧化的發光二極管封裝結構。

一種發光二極管封裝結構，包括封裝基板以及設置于封裝基板上的發光二極管晶粒，所述封裝基板上形成有電性隔絕的第一導電部和第二導電部，所述發光二極管晶粒具有與第一導電部和第二導電部分別電連接的正電極和負電極，所述發光二極管晶粒上還形成有與正、負電極的至少其中之一電連接的凸塊，所述第一導電部和第二導電部均包括相對設置的上表面和下表面，所述第一導電部和第二導電部至少其中之一的上表面對應發光二極管晶粒上的凸塊形成有防氧化金屬層，所述防氧化金屬層與封裝基板間隔設置，所述發光二極管晶粒上的凸塊與第一導電部/第二導電部通過該防氧化金屬層電連接。

本發明中防氧化金屬層位于第一導電部/第二導電部的上表面并與封裝基板間隔設置，這能有效增加水汽或空氣由封裝基板與第一導電部/第二導電部的接合處進入到發光二極管封裝結構內部的路徑，防止第一導電部、第二導電部與凸塊接觸的位置被氧化，從而提升發光二極管封裝結構的導電性能。

下面參照附圖，結合具體實施例對本發明作進一步的描述。

附圖說明

圖1為本發明第一實施例的發光二極管封裝結構的剖面示意圖。

圖2為圖1中所示發光二極管封裝結構的俯視示意圖（其中發光二極管封裝結構的發光二極管晶粒與封裝層被隱藏）。

圖3為本發明第二實施例的發光二極管封裝結構的剖面示意圖。

主要元件符號說明