[發(fā)明專利]適用于IGBT薄型硅片的背面雜質(zhì)激活方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310090771.X
• 申請日: 2013-03-20
• 公開（公告）號: CN104064460B
• 公開（公告）日: 2017-02-15
• 發(fā)明（設計）人: 鄭剛;施向東
• 申請（專利權(quán)）人: 上海華虹宏力半導體制造有限公司
• 主分類號: H01L21/331
• 分類號: H01L21/331;H01L21/324
• 代理公司: 上海浦一知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司31211
• 代理人: 劉昌榮

1.適用于IGBT薄型硅片的背面雜質(zhì)激活方法，其特征在于，步驟包括：

1）將IGBT薄型硅片傳送入快速燈退火腔室，并使硅片背面注入摻雜區(qū)朝向加熱燈的照射面；

2）調(diào)整加熱燈陣列控制程式，使加熱燈只能單向照射硅片背面；

3）設置加熱燈的輸出功率，然后開啟加熱燈，使硅片背面迅速升溫；

4）當硅片溫度達到設定的退火溫度后，關(guān)閉加熱燈，保溫1～2秒，然后急速冷卻硅片。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，步驟3），對各加熱燈設置不同的輸出功率，使硅片各區(qū)域溫度均勻。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，步驟4），所述退火溫度為600～630℃。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，步驟4），采用大流量氮氣冷卻硅片。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，步驟4），所述氮氣的流量為20～40L/min。